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화합물반도체소자의오믹전극형성방법

  • 기술번호 : KST2015100580
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET),고전자 이동도트랜지스터(HEMT),또는 이종접합 바이폴라트랜지스터(HBT) 등과 같은 갈륨비소 화합물반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 오믹접촉(ohmic contact) 저항특성을 개선시킬 수 있는 오믹전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 오믹금속의 중착전에 GaAs 표면을 (NH4)2SX 용액에 담금처리를 통하여 유황처리 시킨 후, 금속층 형성 및 열처리 공정을 수행하여 GaAs에 대해 n형의 도판트(dopant)로 작용하는 유황을 오믹층과 GaAs기판과의 계면에 확산시킴으로써 오믹접촉저항을 감소시킨다.
Int. CL H01L 29/40 (2006.01)
CPC H01L 29/454(2013.01)
출원번호/일자 1019940036016 (1994.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0026922 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 대전직할시유성구
2 김해천 대한민국 대전직할시유성구
3 문재경 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162248-31
2 특허출원서
Patent Application		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162246-40
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162247-96
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162249-87
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162250-23
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090231-37
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.03.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162251-79
8 의견서
Written Opinion		 1998.03.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162252-14
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0162253-60
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090232-83
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0090233-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소 화합물반도체 소자의 오믹전극을 형성하는 방법에 있어서, 상기 오믹금속의 증착전에 GaAs표면을 (NH4)2SX 용액에 담금처리를 통하여 유황처리 시킨 후, 금속층 형성 및 열처리 공정을 수행하여 GaAs에 대해 n형의 도판트(dopant)로 작용하는 유황을 오믹층과 GaAs기판과의 계면에 확산시킴으로써 오믹접촉저항을 감소시키는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 오믹전극의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 NH4)2SX 용액에서의 유황의 조성비 x=0

3 3

제1항에 있어서, 상기 열처리 조건은 약 390℃이상 450℃ 이하의 온도에서 RTA(rapid thermal annealing)로 수행되는 것을 특징으로 하는 오믹전극의 형성방법

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.