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금속유기물화학증착에의한막의모니터링장치

  • 기술번호 : KST2015100584
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상이한 파장을 갖는 두개의 레이저빔을 성장 중인 막에 동시에 투사하고, 성장중의 막으로부터 반사된 두개의 반사빔들 각각의 간섭패턴주기를 분석하여 막의 두께와 조성을 모니터링한다.막으로 부터 반사되는 두개의 반사광을 각각 검출하기 위한 광검출기로서, 단파장용 레이저빔의 검출에 적합한 실리콘검출기와 장파장용 레이저빔의 검출에 적합한 저매늄검출기를 이용하여, 동시에 서로 상이한 파장용 두 반사광을 감지하여 실시간으로 막의 두께 및 조성을 측정한다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/30(2013.01) H01L 22/30(2013.01)
출원번호/일자 1019940034157 (1994.12.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0138863-0000 (1998.02.23)
공개번호/일자 10-1996-0026511 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이번 대한민국 대전직할시유성구
2 김덕봉 대한민국 부산직할시동구
3 백종협 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0153677-04
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0153676-58
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0153675-13
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0153678-49
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0153679-95
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0085714-60
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

소정의 제1파장을 갖는 제1레이저빔을 발생하는 제1레이저빔발생수단과;

상기 소정의 제1파장과 상이한 소정의 제2파장을 갖는 제2레이저빔을 발생하는 제2레이저빔발생수단과;

상기 제1레이저빔을 소정의 비율로 분할하는 빔분할수단과;

상기 제1레이저빔발생수단으로 부터의 상기 제1레이저빔을 통과시키고 그리고 상기 제2레이저빔발생수단로부터의 상기 제2레이저빔을 반사시키되, 상기 제1및 제2레이저빔들이 챔버내에 위치한 샘플의 표면으로 각각 입사되게 하는 제1필터수단과;

상기 샘플의 상기 표면으로 부터 반사되는 상기 제1레이저빔의 반사광을 통과시키고 상기 샘플의 상기 표면으로 부터 반사되는 상기 제2레이저빔의 반사광을 반사시키는 제2필터수단;

상기 제2필터수단으로부터의 상기 제1레이저빔의 상기 반사광을 검출하여 그에 대응되는 전기신호를 출력하는 제1광검출수단과;

상기 제2필터수단으로부터의 상기 제2레이저빔의 상기 반사광을 검출하여 그에 대응되는 전기신호를 출력하는 제2광검출수단과;

상기 제1 및 제2 각 광검출수단들로 부터의 상기 전기신호들을 받아들여 비교분석하는 연산수단을 포함하는 금속유물 화학 증착에 의한 막의 모니터링 장치

2 2

제1항에 있어서

상기 제1및 제2레이저빔은 챔버내에 위치한 상기 샘플의 상기 표면의 수직방향에 대해 71˚의 각도로 입사되는 금속유기물 화학증착에 의한 막의 모니터링 장치

3 3

제2항에 있어서,

상기 제1레이저발생수단은 0

4 4

제3항에 있어서,

상기 제1광검출수단은 실리콘검출기이고,

상기 제2광검출수단은 저매늄검출기인 금속유기물 화학증착에 의한 막의 모니터링 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.