맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체소자의게이트전극형성방법

  • 기술번호 : KST2015100595
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것으로서, 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET:metal-semiconductor field effect transistor), 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT:high electron mobility transistor) 또는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT:hetero- junction bipolar transistor) 등과 같은 갈륨비소 화합물 반도체 소자에 있어서, 금속과 반도체 사이의 결합특성을 개선하여 게이트 전극의 누설전류를 자동으로 감소시키도록 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것으로서, 게이트 전극으로 사용되는 금속층을 형성하는 공정전에 웨이퍼의 표면을 황화암모늄[(NH4)2Sx] 용액으로 유황처리하여 표면 상태 밀도를 낮추고, 페르미 준위 고정현상을 제거하는 공정을 포함하여, 상기 유황처리 공정에 의해 웨이퍼의 표면상태밀도가 낮아지고, 이에 따른 쇼트키 장벽높이가 의도하는 만큼 얻어질 수 있다.
Int. CL H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
CPC H01L 29/475(2013.01) H01L 29/475(2013.01) H01L 29/475(2013.01)
출원번호/일자 1019950009258 (1995.04.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0160594-0000 (1998.08.19)
공개번호/일자 10-1996-0039223 (1996.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.04.19)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문재경 대한민국 대전광역시유성구
2 이종람 대한민국 대전광역시유성구
3 김해천 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040848-22
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040849-78
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040850-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.24 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040851-60
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040852-16
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040853-51
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0020824-62
8 의견서
Written Opinion		 1998.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040854-07
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0040855-42
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0020825-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소 기판위에 채널층을 형성하는 공정과, 상기 채널층 위에 게이트 전극의 형성을 위해 중앙부에 홈이 파인 감광막을 형성하는 공정과, 그 감광막 상부 표면을 황화암모늄 용액[(NH4)2Sx(x=0

2 2

제1항에 있어서, 상기한 쇼트키 금속 전극층은 백금 또는 팔라듐의 단일 금속층, 또는 백금 또는 티타늄을 포함하는 하나 이상의 금속을 포함한 다층금속층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.