반도체 기판(1)위에 포지티브 형 포토레지스트를 도포하여 제1레지스트막(2)을 형성한 후 상기 레지스트막(2)의 연화건조를 위한 베이킹을 수행하는 공정과; 게이트 다리의 폭을 정의하기 위한 첫번재 마스크(3)를 사용하여 상기 제1 레지스트막(2)을 노광시키고 현상하는 것에 의해, 기둥형상을 갖는 제1의 레지스트막 패턴(2a)을 형성하는 공정과; 저온 CVD에 의해 상기 제1의 레지스트막패턴(2a)이 형성된 상기 반도체 기판(1)의 전체 표면 위에 저온CVD에 의해 절연막(4)을 형성하는 공정과; 상기 제1의 레지스트막 패턴(2a)을 제거하여 T-게이트의 다리 폭에 상당하는 폭의 홈(5)을 갖는 절연막 패턴(4a)을 형성하는 공정과; 상기 절연막 패턴(4a)위에 다시 포지티브 형 포토레지스트를 도포하여 제2레지스트막(6)을 형성한 후, 연화 건조를 위한 베이킹을 수행하는 공정과; 게이트 머리의 폭을 정의하기 위한 두번째 마스크(7)를 사용하여 상기 제2 레지스트막(6)을 노광시키는 공정과; 상기 제2레지스트막(6)을 현상하여, 제2의 레지스트막 패턴(6a)을 형성하여 T자형 골(8)을 형성한 후, 경화를 위한 베이킹과 기판 잔유물 제거 처리를 수행하는 공정과; 상기 제2의 레지스트막 패턴(6a)위와 상기 골(8)의 내부에 금속을 증착하여 금속층(9)을 형성하는 공정과; 상기 제2의 레지스트막 패턴(6a)과 그 위에 형성된 상기 금속층(9)을 제거하는 공정을 포함하는 전계효과트랜지스터의 T자형 게이트 형성방법