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화합물 반도체 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015100651
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 소자의 제조방법은 기존 HBT 소자의 에피층들에서 베이스층의 일부를 이온주입 및 활성화 방법으로 높은 저항값을 갖도록 하고, HBT 소자를 형성한 후, 소자분리 식각 공정시 저항체를 패턴닝하여 원하는 저항값을 갖는 저항체 패턴을 형성하였으므로, 하나의 기판에 HBT와 고정항값을 갖는 저항체를 MMIC화시켜 소자의 고집적화에 유리하고, 하이브리드 공정이 생략되고 기존의 공정에 이온주입 공정만이 추가되므로 공정이 간단하여 제조 단가를 절감할 수 있으며, 기생저항이나 기생용량을 감소시켜 고속 및 고주파 특성이 향상된다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019950050532 (1995.12.15)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0161199-0000 (1998.08.21)
공개번호/일자 10-1997-0052980 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
2 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
3 이태우 대한민국 대전광역시 서구
4 편광의 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196366-96
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196368-87
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196367-31
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196369-22
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196370-79
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0103785-48
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성의 화합물 반도체 기판상에 완충층을 형성하는 공정과, 상기 완충층상에 부컬렉터층을 형성하는 공정과, 상기 부컬렉터층상에 컬렉터층을 형성하는 공정과, 상기 컬렉터층상에 베이스층을 형성하는 공정과, 상기베이스층상에 에미터층을 형성하는 공정과, 상기 에미터층상에 에미터캡층을 형성하는 공정과, 상기 에미터 캡층의 일측 상부에 에미터 전극을 형성하는 공정과, 상기 에이터 전극 양측의 노출되어 있는 에미터 캡층과 에미터층을 순차적으로 식각하여 베이스층의 표면을 노출시키는 에미터 캡층 패턴과 에미터층을 형성하는 공정과, 상기 에미터 전극 양측에서 소정간격 이격되어 있는 베이스층에 불순물 이온을 주입하여 저항체를 형성하는 공정과, 상기 베이스층 상에 베이스 전극을 형성하는 공정과, 상기 베이스 전극 양측의 저항체 및 컬렉터층을 순차적으로 메사식각하여 상기 부컬렉터층의 일부를 노출시키는 홈을 형성하는 공정과, 상기 홈을 통하여 노출되어 있는 부컬렉터층상에 컬렉터 전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 고립시키기 위한 소자분리 식각 공정을 상기 컬렉터 전극 양측의 저항체에서 완충층까지를 순차적으로 식각하여 화합물 반도체 기판을 노출시키되, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터 일측의 저항체도 함께 패턴닝하여 원하는 저항값을 갖는 저항체 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 이온주입보다는 불순물이 B 또는 O인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 식각공정들을 메사식각으로 실시하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.