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편광조절수직공진형표면방출반도체레이저

  • 기술번호 : KST2015100660
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 물질의 전광효과를 이용하여 반도체 DBR 거울층의 굴절율을 전기장을 이용하여 변화시키므로서 편광에 따라 공진파장을 다르게 이동하여 레이저 발진 빔의 편광을 조절한 편광조절 수직 공진형 표면방출 레이저 소자의 발명에 관한 것이다. 본 발명은 소정 도전형의 반도체 DBR(distributed Brag reflector)거울층에 전기장을 인가하여 반도체의 편광별 굴절율을 변화시키기 위한 전극들로 구성되고 전기장이 균일하고 효과적으로 거울층에 걸리고 정공의 유입이 이루어지도록 상기 거울층들이 n형의 반도체 DBR, p형의 반도체 DBR, 및 도핑되지 않은 반도체 DBR 등으로 이루어진 것 등으로 구성된다.
Int. CL H01S 5/125 (2006.01)
CPC H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18366(2013.01)
출원번호/일자 1019940023651 (1994.09.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170180-0000 (1998.10.14)
공개번호/일자 10-1996-0012638 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병수 대한민국 대전직할시대덕구
2 박효훈 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107244-25
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107243-80
3 특허출원서
Patent Application		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107242-34
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107245-71
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107246-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060237-63
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.01.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107248-18
8 의견서
Written Opinion		 1998.01.13 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107247-62
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060238-19
10 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.06.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107250-00
11 의견서
Written Opinion		 1998.06.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107249-53
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.06.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107251-45
13 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060239-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판(1)위에 순차적으로 적충된 하부 거울층(2), 반도체 활성층(3) 및 그 활성층(3)의 상부와 측면부에 이온주입층(10)이 형성된 제 1상부 거울층(4)과, 그 제 1상부 거울층(4) 이온주입층(10)의 내측 상부에 순차적으로 적층된 제 2상부 거울층(5) 및 제 3상부 거울층 (6)과, 전자주입을 위하여 상기 기판(1) 하부에 형성된 후면전극(7)과, 정공주입 및 전기장을 인가하기 위하여 상기 제 1상부 거울층(4)의 노출된 상면에 형성된 중간전극(8), 및 전기장을 인가하기 위하여 상기 제 3상부 거울층(6) 상부에 형성된 전면전극(9)을 포함하며, 상기 후면전극(7)과 중간전극(8) 사이에 레이저 발진을 위한 전자와 정공을 주입하기 위하여 형성된 첫번째 전압원(11), 및 상기 중간전극(8) 과 전면전극 (9) 사이에 편광조절을 위하 전기장을 인가하기 위하여 형성된 두번째 전압원(12)으로 구성된 것을 특징으로 하는 편광 조절 수직 공진형 표면방출 반도체 레이저

2 2

제1항에 있어서, 상기 전면 전극(9)과 중간 전극(8) 사이의 제 2 및 제 3 상부 거울층 (5)(6) 에 누설 전류 없이 강한 전기장이 인가될 수 있도록 상기 제 2 상부 거울층(5) 은 도핑되지 않은 높은 저항의 반도체 다층 구조인 DBR로 구성되고, 제 3상부 거울층(6)은 n형의 반도체 DBR로 이루어진 것을 특징으로 하는 편광조절 수직 공진형 표면방출 레이저

3 3

제1항에 있어서, 상기 활성층(3)에 효과적으로 정공이 주입될 수 있도록 상기 하부 거울층(2)이 n형의 반도체 DBR로 이루어지고, 상기 제 1상부 거울층(4)은 p형의 반도체 DBR로 구성된 것을 특징으로 하는 편광조절 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.