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전자의간섭성을이용한양자간섭트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015100661
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주기적인 게이트 폭의 변화를 갖는 양자간섭 트랜지스터에 관한 것이다. 전자의 파동성은 전자의 파장으로 표시되며 이 파장은 전자의 밀도 즉, 게이트 전압과 밀접한 관계가 있다. 트랜지스터의 구조에서 게이트를 주기적인 변화 폭을 갖도록 제작하여, 두가지의 전자통로 사이에 전자의 위상차를 만들어 준다. 이러한 위상의 차이에 따라 소스와 드레인 사이의 전자는 파동과 같이 간섭현상을 일으킨다. 이러한 간섭현상은 소스와 드레인 사이의 전류의 크고 작음으로 나타나며, 이 전류의 변화는 게이트의 전압으로 조절할 수 있다. 게이트 전압에 의한 전자의 양자간섭 현상에 의하여 드레인 전류의 크기는 고전적으로 생각되는 전류의 크기보다 크거나 작게되는 간섭 현상이 나타나게 되어, 기존의 동작영역에서 트랜스컨덕턴스는 증가되며, 여러가지 게이트 전압에 따른 드레인 전류의 극대/극소화 현상의 다기능성이 나타난다.
Int. CL H01L 29/68 (2006.01) H01L 29/205 (2006.01) H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 29/803(2013.01) H01L 29/803(2013.01) H01L 29/803(2013.01) H01L 29/803(2013.01)
출원번호/일자 1019940023653 (1994.09.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0137601-0000 (1998.02.10)
공개번호/일자 10-1996-0012579 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (19980428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.16)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전직할시중구
2 이성재 대한민국 서울특별시서초구
3 신민철 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107259-10
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107261-02
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107260-56
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107262-47
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107263-93
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060246-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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전자의 간섭성을 이용한 양자간섭 트랜지스터에 있어서, 트랜지스터의 활성영역이 AlGaAs/GaAs의 이종접합 구조로 구성되고, 상기 활성영역의 채널은 상기 AlGaAs/GaAs의 계면에 형성되는 이차원 전자가스층으로 이루어지며, 상기 AlGaAs층 상부와 소스/드레인 사이에 형성되는 게이트는 상기 이차원 전자가스층내의 전자들이 서로 다른 전위를 느낄 수 있도록 게이트 폭을 주기적으로 다르게 형성한 것을 특징으로 하는 양자간섭 트랜지스터

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02582537 JP 일본 FAMILY
2 JP02582537 JP 일본 FAMILY
3 JP08097437 JP 일본 FAMILY
4 US05519232 US 미국 FAMILY

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1 JP2582537 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP8097437 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH0897437 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5519232 US 미국 DOCDBFAMILY
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