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다층 금속 배선방법

  • 기술번호 : KST2015100665
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구비하는 다층 금속 배선방법에 관한 것으로써, 반절연성 반도체 기판의 표면에 활성층을 형성하고 상기 활성층의 표면의 소정 부분에 절연막을 형성한 후 상기 활성층의 노출된 표면에 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 절연막과 오믹 금속층의 상부에 PMMA(ploy methyl meta acrylate)와 P(MMA-MAA)를 순차적으로 도포하여 제 1 하부 및 상부감광막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부감광막은 제 1 접속공에 의해 오믹 금속층이 노출되고 제 1 상부감광막은 상기 제 1 접속공 사이의 제 1 하부감광막이 노출되게 상기 제 1 하부 및 상부감광막을 노광 및 형상하는 공정과, 상기 제 1 접속공과 제 1 하부 및 상부감광막의 상부에 제 1 배선금속을 증착한 후 상기 제 1 하부 및 상부감광막과 이 제 1 상부감광막 상부의 제 1 배선금속을 리프트 오프하여 제거하는 공정과, 상기 절연막과 오믹 금속층의 상부에 상기 제 1 하부 및 상부감광막과 동일한 물질 및 방법으로 상기 제 1 배선금속을 덮도록 제 2 하부 및 상부 감광막을 형성하는 공정과, 상기 제 2 하부감광막은 제 2 접속공에 의해 오믹 금속층 및 상기 제 1 배선금속의 소정 부분이 노출되고 제 2 상부감광막은 상기 제 2 접속공 사이의 제 2 하부감광막이 노출되게 상기 제 2 하부 및 상부감광막을 노광 및 형상하는 공정과, 상기 제 2 접속공과 제 2 하부 및 상부감광막의 상부에 제 2 배선금속을 증착한 후 상기 제 2 하부 및 상부감광막과 이 제 2 상부감광막 상부의 제 2 배선금속을 리프트 오프하여 제거하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 소자 및 제 1 및 제 2 배선금속 표면의 산화를 방지하기 위한 보호막을 상기 제 2 배선금속이 덮히도록 형성하는 공정을 구비한다.따라서, 특성이 서로 다른 하부 및 상부감광막을 형성하여 전자빔 노광 에너지 조절방법에 의해 금속배선용 감광막 패턴과 접속공을 한번의 노광으로 형성하므로 오정렬을 방지하고 공정이 간단해진다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01)
출원번호/일자 1019950051464 (1995.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170482-0000 (1998.10.15)
공개번호/일자 10-1997-0053530 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
3 김기홍 대한민국 대전광역시 서구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199496-37
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199495-92
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199497-83
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199498-28
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0199499-74
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0105227-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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반절연성 반도체 기판의 표면에 활성층을 형성하고 상기 활성층의 표면의 소정 부분에 절연막을 형성한 후 상기 활성층의 노출된 표면에 오믹 금속층을 형성하는 공정과, 상기 절연막과 오믹 금속층의 상부에 PMMA(ploy methyl meta acrylate)와 P(MMA-MAA)를 순차적으로 도포하여 제 1 하부 및 상부감광막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 하부감광막은 제 1 접속공에 의해 오믹 금속층이 노출되고 제 1 상부감광막은 상기 제 1 접속공 사이의 제 1 하부감광막이 노출되게 상기 제 1 하부 및 상부감광막을 노광 및 형상하는 공정과, 상기 제 1 접속공과 제 1 하부 및 상부감광막의 상부에 제 1 배선금속을 증착한 후 상기 제 1 하부 및 상부감광막과 이 제 1 상부감광막 상부의 제 1 배선금속을 리프트 오프하여 제거하는 공정과, 상기 절연막과 오믹 금속층의 상부에 상기 제 1 하부 및 상부감광막과 동일한 물질 및 방법으로 상기 제 1 배선금속을 덮도록 제 2 하부 및 상부 감광막을 형성하는 공정과, 상기 제 2 하부감광막은 제 2 접속공에 의해 오믹 금속층 및 상기 제 1 배선금속의 소정 부분이 노출되고 제 2 상부감광막은 상기 제 2 접속공 사이의 제 2 하부감광막이 노출되게 상기 제 2 하부 및 상부감광막을 노광 및 형상하는 공정과, 상기 제 2 접속공과 제 2 하부 및 상부감광막의 상부에 제 2 배선금속을 증착한 후 상기 제 2 하부 및 상부감광막과 이 제 2 상부감광막 상부의 제 2 배선금속을 리프트 오프하여 제거하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면에 소자 및 제 1 및 제 2 배선금속 표면의 산화를 방지하기 위한 보호막을 상기 제 2 배선금속이 덮히도록 형성하는 공정을 구비하는 다층 금속 배선방법

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제1항에 있어서, 상기 제 1 하부감광막을 2000∼8000Å의 두께로 형성하는 구비하는 다층 금속 배선방법

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제2항에 있어서, 상기 제 1 하부감광막을 180∼200℃의 고온에서 열처리하는 구비하는 다층 금속 배선방법

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제1항에 있어서, 상기 제 2 하부감광막은 1

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제4항에 있어서, 상기 제 2 하부감광막을 2000∼3000Å의 두께로 여러 번 도포하여 형성하는 구비하는 다층 금속 배선방법

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제4항에 있어서, 상기 제 2 하부감광막을 180∼200℃의 고온에서 열처리하는 구비하는 다층 금속 배선방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.