두개의 이종의 반도체기판들을 상호 접합하는 방법에 있어서, 화합물반도체기판(1)의 상ㆍ하 표면에 기판간의 스트레스를 줄이기 위해 저온 증착법으로 100nm 내지 1㎛정도의 두게로 보호막(2)을 형성하는 공정과, 상기 보호막(2)이 형성된 상기 화합물 반도체기판(1)의 상ㆍ하 표면에 다시 다결정실리콘층(3)을 수 ㎛의 두께로 형성하는 공정과, 상기 다결정실리콘층(3)이 형성된 상기 화합물 반도체기판(1)의 한쪽 표면을 연마하여 제 1 의 거울면(4a)을 형성한 후 상기 제 1 의 거울면(4a)이 친수성을 갖도록하는 공정과, 상기 화합물 반도체기판(1)과 접합될 기판인 실리콘단결정기판(6)의 표면을 경면처리하여 제 2 의 거울면(4b)을 형성하고 상기 제 2 의 거울면(4b)이 친수성을 갖도록 하는 공정과, 친수성을 갖는 상기의 두기판(1,6) 각각의 거울면들(4a,4b)이 상호 접촉(5)되도록 한 후, 접착강도를 높이기 위해 산소와 수소가 혼합된 분위기에서 400 내지 900℃ 정도의 온도로 열처리를 수행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체기판의 직접접합방법

제 1 항에 있어서, 상기 화합물 반도체기판(1)을 갈륨비소단결정기판, 인듐인단결정기판, 도핑된 갈륨비소단결정기판 및, 도핑된 인듐인단결정기판 중 하나이고, 상기 보호막(2)은 실리콘산화막 혹은 실리콘질화막중 하나인 것을 특징으로 하는 이중 반도체기판의 직접접합방법

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 서로 상이한 조성을 갖는 두 기판의 열팽창계수의 차이에 의한 기계적 스트레스를 완화시키기 위해 상기 실리콘단결정기판(6)의 표면을 경면처리하기에 앞서 상기 실리콘단결정기판(6)의 표면 위에 BPSG(borophosphosilicate)막(11)을 형성하는 공정을 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체기판의 직접접합방법