소자격리를 위한 제조방법에 있어서, 실리콘기판(11)위에 산화막(12)을 약 10∼100nm 정도의 두께를 증착하고, 그 상면에 질화막(13)를 약 100∼200nm 정도의 두께로 증착하고, 포토리소그라피(Photolithograph) 공정을 이용하여 질화막(13)의 패턴을 형성하는 단계와, 채널정지(Channel stop) 불순물(1E13-1E15)의 주입을 하고 그 위에 폴리실리콘막(15)을 식각하고 산화하여 폴리산화막(16)을 형성하는 단계와, 에칭백(Etch back) 공정을 이용하여 폴리산화막(15)을 질화막(13)까지 에칭하고, 질화막(13)과 산화막(12)을 차례로 식각하는 단계들로 이루어짐을 특징으로 하는 로컬폴리산화물을 이용한 격리제조방법

질화막(23)의 패턴을 형성공정을 실시하고, 산화막(22)를 약 100∼300nm 정도의 두께로 식각하고 에칭백(etch back)하여 질화막(23) 측면에 산화물 스페이스(28)(oxide spacer)를 제조하는 것을 특징으로 하는 로컬폴리산화물을 이용한 격리제조방법

제1항에 있어서, 채널정지(Channel stop)을 위한 불순물(1E13-1E15)을 주입하고, 질화막패턴(23) 위에 산화막(22)을 약 100∼300nm 정도의 두께로 식각하고 에칭백(Etch back)하고, 질화막(23) 측면에 산화물스페이스(28)를 제조하는 것을 특징으로 하는 로컬폴리산화물을 이용한 격리제조방법

제1항에 있어서, 스페이스 형성을 위한 산화막(22)대신 새로운 질화막 약 100∼300nm 정도의 두께로 식각하고 질화막을 에칭백하고, 질화막 측면에 질화막스페이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 로컬폴리산화물을 이용한 격리제조방법