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절연 게이트 조임형 구조의 고압 소자

  • 기술번호 : KST2015100694
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SOI(Silicon On Insulator) 구조를 이용한 소오스-표류영역-드레인이 수평으로 배치된 100V급 이상의 전계효과(field effect) 고압소자(high voltage device)를 제조하는데 있어서, 소자의 전류 누설을 방지하기 위한 것으로, SOI(Silicon On Insulator)의 구조를 가지는 기판상에 활성영역을 정의하는 수직격리 트랜치와, 상기 수직 격리 트랜치의 내측에 형성되는 수직격리 트랜치 산화막과, 상기 활성영역에 수평으로 형성된 소오스, 표류영역 및 드레인과, 상기 소오스와 표류영역의 경계부의 상측에 형성되는 수평 게이트를 포함하며, 상기 수평 게이트의 하측 기판내에 소정간격으로 이격되어 형성되며, 수직격리 트랜치의 게이트 산화막에 의해 기판과 절연되어 소정의 면적으로 형성되는 복수의 수직 트랜치 게이트를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/085 (2006.01)
CPC H01L 29/7824(2013.01) H01L 29/7824(2013.01) H01L 29/7824(2013.01)
출원번호/일자 1019960067576 (1996.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0211964-0000 (1999.05.06)
공개번호/일자 10-1998-0048922 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강진영 대한민국 대전광역시 유성구
2 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
3 곽명신 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1996-0224404-70
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1996-0224403-24
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1996-0224405-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0224406-61
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0224407-17
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0047764-99
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-5111833-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

SOI(Silicon On Insulator)의 구조를 가지는 기판상에 활성영역을 정의하는 수직격리 트랜치와, 상기 수직격리 트랜치의 내측에 형성되는 수직격리 트랜치 산화막과, 상기 활성영역에 수평으로 형성된 소오스, 표류영역 및 드레인과, 상기 소오스와 표류영역의 경계부의 상측에 형성되는 수평 게이트를 포함하며, 상기 수평 게이트의 하측 기판내에 소정간격으로 이격되어 형성되며, 수직트랜치의 게이트 산화막에 의해 기판과 절연되어 소정의 면적으로 형성되는 복수의 수직 트랜치 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 조임형 구조의 고압소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 수직 트랜치 게이트 사이에 조임영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 절연게이트 조임형 구조의 고압소자

3 3

제1항에 있어서, 상기 수평 게이트는 드레인측으로 연장되는 수평 게이트 확장영역을 가지는 것을 특징으로 하는 절연게이트 조임형 구조의 고압소자

4 4

제1항에 있어서, 상기 수평게이트와 수직 트랜치 게이트는 서로 전기적으로 접속되어 다리의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 절연게이트 조임형 구조의 고압소자

5 5

제1항에 있어서, 상기 수직 트랜치 게이트는 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 절연게이트 조임형 구조의 고압소자

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10190002 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10190002 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH10190002 JP 일본 DOCDBFAMILY
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