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Х-선 마스크 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015100733
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaAs의 햄트(HEMTs) 소자 개발에 필요한 티형 및 감마형 게이트와 같은 특수 게이트(special gate) 제작에 사용되는 X-선 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래에는 X-선 마스크를 사용하여 티형 게이트를 제작할 때, 티형 게이트의 풋프린터(footprint)를 X-선 리소그래피를 통해 먼저 형성시킨 후, 다시 광 리소그래피로 헤드(Head)부분을 형성하는 방법으로 리소그래피를 다시 수행하는 등 공정상의 절차가 쉽지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 풋프린터 부분에 해당되는 X-선 흡수체와 헤드 부분에 해당되는 X-선 흡수체의 두께를 달리하여 X-선 투과도를 조절하고, 이들 X-선 흡수체가 마스크 기판에 동시에 존재하도록 X-선 마스크를 제작하므로써, 한번의 X-선 리소그래피로 티형 및 감마형 게이트와 같은 특수 게이트를 웨이퍼상에 창출할 수 있도록 한다.
Int. CL G03F 1/22 (2006.01) G03F 1/54 (2006.01)
CPC G03F 1/22(2013.01) G03F 1/22(2013.01) G03F 1/22(2013.01) G03F 1/22(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1019970054427 (1997.10.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0246545-0000 (1999.12.06)
공개번호/일자 10-1999-0033158 (1999.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.10.23)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최상수 대한민국 대전광역시 유성구
2 유형준 대한민국 대전광역시 유성구
3 정해빈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0172416-09
2 특허출원서
Patent Application		 1997.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0172415-53
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0172417-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0293834-45
5 의견서
Written Opinion		 1999.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1999-5383624-90
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0361411-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘으로 이루어진 마스크 기판, 멤브레인, X-선 흡수체 및 마스크 기판 뒷면에 형성된 파이렉스 링으로 구성된 X-선 마스크에 있어서,

상기 멤브레인 상부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 1 X-선 흡수체와,

상기 멤브레인 하부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 2 X-선 흡수체로 구성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 X-선 흡수체와 상기 제 2 X-선 흡수체는 상기 멤브레인을 사이에 두고 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

4 4

실리콘으로 이루어진 마스크 기판, 멤브레인, X-선 흡수체 및 마스크 기판 뒷면에 형성된 파이렉스링으로 구성된 X-선 마스크에 있어서,

상기 멤브레인 상부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴이 되도록 형성된 제 1 X-선 흡수체와,

상기 멤브레인 하부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴이 되도록 형성된 제 2 X-선 흡수체로 구성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 제 1 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴과 상기 제 2 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴은 상기 멤브레인을 사이에 두고 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

7 7

실리콘으로 이루어진 마스크 기판, 멤브레인, X-선 흡수체 및 마스크 기판 뒷면에 형성된 파이렉스 링으로 구성된 X-선 마스크에 있어서,

상기 멤브레인 상부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 2 X-선 흡수체와,

상기 제 2 X-선 흡수체 상부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 1 X-선 흡수체로 구성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

9 9

실리콘으로 이루어진 마스크 기판, 멤브레인, X-선 흡수체 및 마스크 기판 뒷면에 형성된 파이렉스링으로 구성된 X-선 마스크에 있어서,

상기 멤브레인 상부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴이 되도록 형성된 제 2 X-선 흡수체와,

상기 제 2 X-선 흡수체 상부에 형성되며, 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴이 되도록 형성된 제 1 X-선 흡수체로 구성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

11 11

제 9 항에 있어서,

상기 제 1 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴과 상기 제 2 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴은 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크

12 12

멤브레인이 형성된 기판이 제공되는 단계;

상기 멤브레인 상부에 민감도가 작은 제 1 포지티브 레지스트를 도포하고, 상기 멤브레인 하부에 민감도가 우수한 제 2 포지티브 레지스트를 도포하는 단계;

전자빔을 이용한 자기정렬식 노광법, 티형 도즈 분리 노광법 및 감마형 도즈 분리 노광법중 어느 하나의 방법으로 상기 제 1 및 2 포지티브 레지스트를 노광시키고, 노광된 부분을 제거하여 제 1 및 2 포지티브 레지스트 패턴을 형성하는 단계;

전기 도금을 실시하여, 상기 멤브레인 상부에 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 1 X-선 흡수체를 형성하고, 상기 멤브레인 하부에 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 2 X-선 흡수체를 형성하는 단계;

상기 제 1 및 2 포지티브 레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 기판 뒷면에 파이렉스 링을 형성하는 단계를 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

13 13

제 12 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

14 14

제 12 항에 있어서,

상기 제 1 X-선 흡수체와 상기 제 2 X-선 흡수체는 상기 멤브레인을 사이에 두고 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

15 15

멤브레인이 형성된 기판이 제공되는 단계;

상기 멤브레인 상부에 민감도가 작은 제 1 네거티브 레지스트를 도포하고, 상기 멤브레인 하부에 민감도가 우수한 제 2 네거티브 레지스트를 도포하는 단계;

전자빔을 이용한 자기정렬식 노광법, 티형 도즈 분리 노광법 및 감마형 도즈 분리 노광법중 어느 하나의 방법으로 상기 제 1 및 2 네거티브 레지스트를 노광시키고, 노광되지 않은 부분을 제거하여 제 1 및 2 네거티브 레지스트 패턴을 형성하는 단계;

전기 도금을 실시하여, 상기 멤브레인 상부에 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴으로 된 제 1 X-선 흡수체를 형성하고, 상기 멤브레인 하부에 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴으로 된 제 2 X-선 흡수체를 형성하는 단계;

상기 제 1 및 2 포지티브 레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 기판 뒷면에 파이렉스 링을 형성하는 단계를 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

16 16

제 15 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

17 17

제 15 항에 있어서,

상기 제 1 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴과 상기 제 2 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴은 상기 멤브레인을 사이에 두고 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

18 18

멤브레인이 형성된 기판이 제공되는 단계;

상기 멤브레인 상부에 민감도가 우수한 제 2 포지티브 레지스트를 도포하고, 상기 제 2 포지티브 레지스트 상부에 민감도가 작은 제 1 포지티브 레지스트를 도포하는 단계;

전자빔을 이용한 자기정렬식 노광법, 티형 도즈 분리 노광법 및 감마형 도즈 분리 노광법중 어느 하나의 방법으로 상기 제 1 및 2 포지티브 레지스트를 노광시키고, 노광된 부분을 제거하여 제 1 및 2 포지티브 레지스트 패턴을 형성하는 단계;

전기 도금을 실시하여, 상기 멤브레인 상부에 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 2 X-선 흡수체를 형성하고, 상기 제 2 X-선 흡수체 상부에 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 바아 패턴으로 된 제 1 X-선 흡수체를 형성하는 단계;

상기 제 1 및 2 포지티브 레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 기판 뒷면에 파이렉스 링을 형성하는 단계를 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

19 19

제 18 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

20 20

멤브레인이 형성된 기판이 제공되는 단계;

상기 멤브레인 상부에 민감도가 우수한 제 2 네거티브 레지스트를 도포하고, 상기 제 2 네거티브 레지스트 상부에 민감도가 작은 제 1 네거티브 레지스트를 도포하는 단계;

전자빔을 이용한 자기정렬식 노광법, 티형 도즈 분리 노광법 및 감마형 도즈 분리 노광법중 어느 하나의 방법으로 상기 제 1 및 2 네거티브 레지스트를 노광시키고, 노광되지 않은 부분을 제거하여 제 1 및 2 네거티브 레지스트 패턴을 형성하는 단계;

전기 도금을 실시하여, 상기 멤브레인 상부에 티형 또는 감마형 게이트의 헤드 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴으로 된 제 2 X-선 흡수체를 형성하고, 상기 제 2 X-선 흡수체 상부에 티형 또는 감마형 게이트의 풋프린트 부분에 직접 대응되는 부분이 홀 패턴으로 된 제 1 X-선 흡수체를 형성하는 단계;

상기 제 1 및 2 네거티브 레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 기판 뒷면에 파이렉스 링을 형성하는 단계를 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

21 21

제 20 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 X-선 흡수체 각각의 두께는 X-선 투과율이 약 50% 정도가 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

22 22

제 20 항에 있어서,

상기 제 1 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴과 상기 제 2 X-선 흡수체에 의해 정의된 홀 패턴은 중첩되도록 형성된 것을 특징으로 하는 X-선 마스크 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.