요약 | 본 발명은 반도체 광전 소자에 관한 것으로, 이중장벽 구조를 갖는 공명투과 다이오드의 양자 상태간의 에너지 차이를 최대로 하기 위하여 에미터쪽의 간격층에 인듐비소를 단원자층의 두께로 형성함으로써 약한 세기의 빛에서도 삼각 우물의 두 양자 상태에 의한 공명투과 전류가 분리되어 나타나므로 빛으로 삼각 우물의 여기 상태에 의한 공명투과를 제어하여 광원으로 전기적 신호를 제어하는 스위칭 소자의 제작이 가능할 수 있는 광 제어 공명투과 다이오드가 제시된다. |
---|---|
Int. CL | H01S 3/00 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1019970001101 (1997.01.16) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | 10-0244524-0000 (1999.11.22) |
공개번호/일자 | 10-1998-0065895 (1998.10.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20000201) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1997.01.16) |
심사청구항수 | 3 |