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양자선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015100825
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, InP 기판위에 조성비가 서로 다른 [In(x)Al(1-x)As/In(y)Al(1-y)As] 다층 박막으로 이루어진 수직형 인공초격자를 형성하고, 그 위에 InP층을 형성하여 양자선을 제조하며 이렇게 형성된 InP/InAlAs/InP를 다층으로 형성하여 더욱 향상된 특성을 갖는 양자선을 제조함으로써 양자선의 패킹 밀도를 높힐 수 있으며 양질의 초격자 구조를 생성할 수 있고, 단순한 에피성장 조건을 바꾸어 비교적 여러 가지 크기의 초격자 구조를 제조 할 수 있는 양자선 제조 방법이 제시된다.
Int. CL H01L 31/02 (2006.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1019970003862 (1997.02.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0067652 (1998.10.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.02.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이 번 대한민국 대전광역시 유성구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 이진홍 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012646-85
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012645-39
3 특허출원서
Patent Application		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012644-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0219936-80
5 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0295393-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

InP 기판 상부에 격자 정합된 InAlAs 박막을 성장하는 단계와,

상기 InAlAs 박막 상부에 InP 에피층을 형성하는 단계로 이루어지되 상기 단계를 반복적으로 실행하여 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자선 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 InP 기판은 (100) 격자면을 갖는 것을 특징으로 하는 양자선 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 InAlAs 박막은 MOCVD 방법으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자선 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 InAlAs 박막은 565 내지 615 ℃의 온도 조건에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자선 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 InAlAs 박막은 10nm 이하의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자선 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 InAlAs 박막은 성장 온도에 따라 양자 우물의 두께를 변화시킬 수 있는 조성비가 서로 다른 [In(x)Al(1-x)As/In(y)Al(1-y)As] 다층 박막인 것을 특징으로 하는 양자선 제조 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10321534 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10321534 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH10321534 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.