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반절연성 화합물반도체 기판위에 완충층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층이 성장된 이종접합 구조의 HBT 에피 구조를 사용하여, 그 위에 리프트오프층을 성장하고, 그 위에 다시 절연성 표면보호층을 분자선 에피택시 방법에 의해 순차적으로 형성하는 제1과정과, 상기한 에미터층, 에미터 캡층, 리프트오프층 및 표면보호층으로 구성된 에미터 영역이 역메사 형태가 되도록, 감광막을 마스크층으로 하여 에미터 영역을 제외한 주변 영역을 베이스 표면까지 메사식각하는 제2과정과, 상기 제2과정에 이어, 전면에 유전체 절연막을 균일하게 도포하고, 반응성이온식각법을 사용하여 역메사의 에미터 영역 측벽에 얇은 유전체의 측벽절연막을 형성하는 제3과정과, 상기 에미터 영역과 측벽 절연막을 함께 마스크층으로 활용하여 분자선 에피택시법으로 베이스층을 재성장시키는 제4과정과, 상기 구조의 기판을 희석된 불산용액으로 처리하여 상기한 에미터층 위의 불필요한 에피층들을 제거함으로써, 베이스층을 에미터에 효과적으로 자기정렬시키는 제5과정과, 웨이퍼 전면에 유전체 절연막을 다시 도포하고, 해당 부분만 절연막을 제거한 후, 에미터와 베이스 간의 자기정렬과 평탄화된 현 상태에서 에미터와 베이스의 전극을 동시에 형성하는 제6과정과, 베이스의 외부 영역을 정의하고, 해당 부분의 유전체 절연막과 베이스층, 컬렉터층을 차례로 메사식각하여 부컬렉터층 상에 컬렉터 전극을 형성한 후, 메사식각하여 소자분리 영역을 형성하는 제7과정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 리프트오프층으로는, 에미터 캡층 상에 불산계의 용액에 의해 쉽게 제거가 가능하여 리프트 오프에 유리한 알루미늄비소층을 사용하고, 상기 표면 보호층으로는, 후속공정에서의 베이스 재성장시 에미터 영역을 보호하기 위해 200℃ 이하의 저온에서 성장하여 우수한 특성의 절연막으로 되는 갈륨비소층을 사용한 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 에미터 영역의 역경사 메사구조 형성을 위하여, 수산화암모늄(NH4OH)/과산화수소(H2O2)/순수(Deionized H2O)로 구성된 식각 용액을 사용하며, 후속공정에서의 유전체 측벽막 형성시 유리하도록, 상기 역경사 에피 구조를 사용한 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 역메사 에미터 에피구조를 이용하여 그 위에 도포된 유전체 절연막을 플라즈마 식각 이방성이 뛰어난 반응성 이온식각 방법에 의해 측벽 유전막을 형성하고, 이때, 후속공정에서 재성장되는 배이스 에피층의 결정성을 높이도록 높은 에너지 이온에 의해 손상된 상기 베이스 표면층을 황산이나 인산계 용액으로 제거하는 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
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