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뉴럴타입 셀 회로

  • 기술번호 : KST2015100886
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이폴라소자를 이용한 뉴럴타입 셀 회로에 관한 것으로, 특히 많은 실리콘 면적과 빠른 속도가 요구되는 신경회로망 회로에 사용되는 뉴럴타입 셀 회로에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 바이폴라소자를 사용하여 집적도가 높고 속도가 빠른 뉴럴타입 셀 회로를 구현하는 데에 있다. 바이폴라소자를 사용하여 구성한 뉴럴타입 셀 회로는 외부전압이 주어질 때 발진 파형을 발생하는 발진회로부와, 상기 발진회로부에서 발생된 발진 파형을 수신하고, 가중치 입력레벨에 따라 펄스 듀티 사이클을 조정하는 가중치회로부와, 상기 가중치회로부의 출력을 수신하고, 상기 가중치회로부의 출력신호의 펄스 듀티 사이클에 따라 캐패시터에 전하를 충전시키는 합산회로부로 구성된다.
Int. CL G11C 11/34 (2006.01)
CPC G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1019970069567 (1997.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0050448 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신희천 대한민국 대전광역시 유성구
2 곽명신 대한민국 대전광역시 유성구
3 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217769-99
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217770-35
3 특허출원서
Patent Application		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217768-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0063998-78
5 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0214121-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

바이폴라소자를 사용하여 구성한 뉴럴타입 셀 회로에 있어서,

외부전압이 주어질 때 발진파형을 발생하는 발진회로부와,

상기 발진회로부에서 발생된 발진파형을 수신하고, 가중치 입력레벨에 따라 펄스 듀티 사이클을 조정하는 가중치회로부와,

상기 가중치회로부의 출력을 수신하고, 상기 가중치회로부의 출력신호의 펄스 듀티 사이클에 따라 캐패시터에 전하를 충전시키는 합산회로부로 구성된 것을 특징으로 하는 뉴럴타입 셀 회로

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 가중치회로부는

상기 발진회로부의 출력이 가중치를 조절하는 입력으로 사용되는 베이스에 접속되고, 제 1전원이 콜렉터에 직접 접속되어 입력신호를 스위칭하는 제 1 트랜지스터와,

상기 제 1전원이 제 1저항을 통하여 콜렉터에 접속되고, 정전압원에 베이스가 접속되어 입력신호를 스위칭하는 제 2 트랜지스터와,

상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터의 에미터가 콜렉터에 접속되고, 정전압원이 베이스에 접속되며, 제 2전원이 제 2저항을 통해서 에미터에 접속되어 정전류원을 발생하는 제 3트랜지스터와,

상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터가 베이스에 접속되고, 상기 제 1전원이 콜렉터에 접속되며, 합산회로부의 입력이 에미터에 접속되고, 또 제 3저항을 통하여 상기 제 2전원이 에미터에 접속되어 구동능력을 증가시키는 제 4트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 뉴럴타입 셀 회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.