맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

정렬 마크 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015100932
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 웨이퍼 후면 공정시 정렬 정밀도를 높이기 위한 정렬마크를 제어성 좋게 제조할 수 있게 하여 반도체 소자의 정렬을 원활하게 하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.본 발명에 따르면, 후면 정렬 마크 제조 방법에 있어서, 전면 공정에서 반도체 기판 위에 전면 금속막으로 제 1 정렬 마크를 십자형으로 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 단계에서 형성된 전면 패턴을 이용하여 상기 제 1 정렬 마크를 상기 패턴의 중앙을 대칭점으로 하여 상,하,좌,우 대칭으로 같은 모양의 제 2 정렬 마크를 형성하는 제 2 단계; 상기 제 1 단계에서 형성시킨 십자형의 제 1 정렬 마크와 같은 형상이면서, 상기 제 1 정렬마크보다 폭이 좁고, 길이는 긴 후면 비어홀 패턴용 제 3 정렬 마크를 상기 제 2 단계의 결과물 상에 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 후면 정렬 마크 제조 방법이 제공된다.정렬 마크, 후면 정렬 마크, 비어홀 정렬 마크
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 9/708(2013.01) G03F 9/708(2013.01) G03F 9/708(2013.01)
출원번호/일자 1020000078263 (2000.12.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0356014-0000 (2002.09.26)
공개번호/일자 10-2002-0049161 (2002.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20021012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.19)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이진희 대한민국 대전광역시유성구
2 이경호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2000-0271134-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2002.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0225789-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

후면용 정렬 마크 제조 방법에 있어서,

전면 공정에서 반도체 기판 위에 전면 금속막으로 후면 정렬용 제 1 정렬 마크를 십자형으로 형성하는 제 1 단계;

상기 제 1 단계에서 형성된 전면 패턴을 이용하여 상기 제 1 정렬 마크를 상기 패턴의 중앙을 대칭점으로 하여 상,하,좌,우 대칭으로 같은 모양의 제 2 정렬 마크를 형성하는 제 2 단계;

상기 제 1 단계에서 형성시킨 십자형의 제 1 정렬 마크와 같은 형상이면서, 상기 제 1 정렬마크보다 폭이 좁고, 길이는 긴 후면 비어홀 패턴용 제 3 정렬 마크를 상기 제 2 단계의 결과물 상에 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 단계는,

주석(Ti)/백금(Pt)/금(Au)을 증착하여 금속 리프트 오프 공정을 수행하는 서브 단계;

전면 소자 및 집적 회로를 보호하기 위하여 감광막으로 보호층을 형성하는 서브 단계; 및

원하는 두께까지 웨이퍼 후면을 래핑(Lapping)하는 서브 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제 1 단계는,

상기 제 1 정렬 마크는 폭이 상기 후면 제 3 정렬 마크보다 넓도록 형성하는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 단계는,

후면을 세정한 후, 감광막을 도포하여 열처리하고, 접촉식 정렬 장치를 사용하여 제 2 정렬 마크를 형성하는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

5 5

제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,

상기 제 2 단계는,

상기 제 2 정렬 마크는 상기 제 1 정렬 마크와의 정렬을 용이하게 하기 위해 좌우 대칭인 경사도를 만들고, 단차를 만들어 사용하며, 크기를 상기 제 1 정렬 마크보다 크도록 형성하는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 단계는,

정렬 정밀도를 높이기 위하여 상기 제 2 정렬 패턴을 경사 패턴을 넣어 형성시키는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 단계는,

금속과 기판에서의 빛 투과율이 다르도록 적외선 램프(IR Lamp)가 부착된 정렬 노광기를 사용하여 제 2 정렬 마크를 형성하는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 제 3 단계는,

상기 제 3 정렬 마크는 마크의 폭이 후면 비어홀 식각시 과식각 되지 않게 식각 깊이보다 작게 하고, 감광막을 도포하여 열처리하며, 후면 비어홀 마스크를 사용하여 정렬, 노광시킨 후, 현상하여 형성하는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

9 9

제 1 항 또는 제 8 항에 있어서,

상기 제 3 단계는,

상기 제 3 정렬 마크의 폭이 상기 제 1 정렬 마크의 폭보다 작게 형성시키는 것을 특징으로 하는 정렬 마크 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.