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반도체 발광소자 온도 측정 장치

  • 기술번호 : KST2015101036
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다이오드 온도센서가 집적된 반도체 발광소자와 온도 측정 장치가 개시된다. 반도체 기판 위에 발광소자 및 온도 센싱 다이오드가 병렬로 집적되며, 발광소자와 온도 센싱 다이오드 사이에는 양 소자를 전기적으로 분리하는 절연체가 위치하고, 발광소자와 온도 센싱 다이오드는 공통의 제1전극을 사용하고, 제2전극은 각각 분리되어 형성된다. 이로써, 반도체 발광소자의 액티브 영역의 온도를 정확히 측정할 수 있다.반도체 발광소자, 온도 센싱 다이오드, 절연체
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC G01K 7/22(2013.01) G01K 7/22(2013.01) G01K 7/22(2013.01) G01K 7/22(2013.01)
출원번호/일자 1020050121034 (2005.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0651757-0000 (2006.11.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고현성 대한민국 대전 서구
2 박정우 대한민국 대전 유성구
3 백용순 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0722501-73
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0640401-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판 위에 집적된 발광소자;상기 발광소자와 병렬로 집적된 온도 센싱 다이오드;상기 발광소자와 상기 온도 센싱 다이오드 사이에서 상기 발광소자와 상기 온도 센싱 다이오드를 전기적으로 분리하는 절연체;상기 반도체 기판 밑변에 형성되고, 상기 발광소자와 상기 온도 센싱 다이오드의 공통 전극으로 사용되는 제1전극; 및상기 발광소자 및 상기 온도 센싱 다이오드 각각의 상부에 형성되는 제2전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 온도 측정 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 반도체 기판위에 집적된 상기 발광소자 및 상기 온도 센싱 다이오드를 에칭 방법을 이용하여 분리하고 상기 분리된 부분을 상기 절연체로 채우는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 온도 측정 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 온도 센싱 다이오드에 흐르는 전류가 상기 발광소자에 흐르는 전류보다 작도록 상기 온도 센싱 다이오드에 직렬로 연결되는 저항기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 온도 측정 장치
4 4
제 3항에 있어서,상기 저항기의 저항값이 상기 발광소자의 저항값보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 온도 측정 장치
5 5
제 3항에 있어서, 상기 저항기의 전압 및 저항값을 기초로 상기 온도 센싱 다이오드에 흐르는 전류값을 구하고, 상기 온도 센싱 다이오드의 전압 값과 상기 전류 값을 기초로 상기 발광소자의 온도를 구하는 온도 측정부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 온도 측정 장치
6 6
제 5항에 있어서,상기 발광소자의 온도를 조절하는 열전소자; 및상기 온도 측정부에 의해 구해진 상기 발광소자의 온도를 기초로 상기 열전소자를 제어하여 상기 발광소자의 온도를 조절하는 온도 조절부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 온도 측정 장치
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국가 R&D 정보가 없습니다.