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고효율 마이크로파 및 밀리미터파 검출기와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015101083
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전자의 측면 양자 구속에 의한 에너지 양자화 효과를 이용한 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체에서 전자의 운동 방향이 어느 한 방향으로 상기 전자의 드브로이파장 정도의 길이에 구속되면 그 방향에 해당되는 전자의 에너지는 양자화 된다. 따라서 상기 양자화된 에너지 준위는 구속 길이와 직접적인 관계가 있으므로 상기 구속길이를 변화시켜 양자화된 에너지 준위의 간격을 조절한다. 조절된 에너지 준위를 마이크로파 및 밀리미터파에 해당되는 에너지와 일치시키므로써 마이크로파 및 밀리미터파의 흡수를 유도하고 이에 따르는 광전효과로 마이크로파 및 밀리미터파를 검출한다. 본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파의 에너지 양을 검출하거나, 초고주파 대역의 무선이동통신 시그널의 고효율 수신 및 필터링에 이용된다.
Int. CL G01H 17/00 (2006.01)
CPC G01H 17/00(2013.01) G01H 17/00(2013.01) G01H 17/00(2013.01)
출원번호/일자 1019970041696 (1997.08.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0223024-0000 (1999.07.07)
공개번호/일자 10-1999-0018510 (1999.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.08.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전광역시 유성구
2 박문호 대한민국 대전광역시 유성구
3 오상철 대한민국 대전광역시 유성구
4 이성재 대한민국 서울특별시 서초구
5 신민철 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0132788-30
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0132789-86
3 특허출원서
Patent Application		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0132787-95
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0125447-38
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, AlGaAs층, 도핑된 AlGaAs층 및 GaAs 캡층이 순차적으로 적층되는 구조를 갖는 기판 상에 형성된 소오스 및 드레인 영역과,

상기 소오스 및 드레인 영역에 형성되는 오믹 콘택과,

상기 소오스 및 드레인 영역 사이의 상기 GaAs 캡층 상에 형성된 다수의 게이트 전극과,

상기 다수의 게이트 전극중 홀수번째에 위치된 게이트 전극을 전기적으로 연결 시키는 제 1 게이트 단자와,

상기 다수의 게이트 전극중 짝수번째에 위치된 게이트 전극들을 전기적으로 연결시키는 제 2 게이트 단자로 구성된 것을 특징으로 하는 고효율 마이크로파 및 밀리미터파 검출기

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 다수의 게이트 전극은 평행하게 배열되며, 각 게이트 전극은 직선 형태이며, 상기 다수의 게이트 전극사이의 간격은 0

3 3

GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, AlGaAs층, 도핑된 AlGaAs층 및 GaAs 캡층이 순차적으로 형성하는 단계와,

소오스 및 드레인 영역을 형성한 후 상기 소오스 및 드레인 영역에 오믹 콘택을 형성하는 단계와,

상기 GaAs 캡층을 일정 깊이 식각한 후 상기 소오스 및 드레인 영역 사이에 다수의 게이트 전극을 형성하는 단계와,

다수의 게이트 전극을 형성한 후 전체 상부면에 절연막을 형성하는 단계와,

상기 절연막 일부분을 식각하여 상기 다수의 게이트 전극 각각에 콘택 홀을 형성하는 단계와,

상기 콘택 홀들을 통해 상기 다수의 게이트 전극중 홀수번째에 위치한 게이트 전극들을 전기적으로 연결 시키는 제 1 게이트 단자와, 상기 다수의 게이트 전극중 짝수번째에 위치한 게이트 전극들을 전기적으로 연결시키는 제 2 게이트 단자를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효률 마이크로파 및 밀리미터파 검출기 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 GaAs 버퍼층, AlGaAs층, 도핑된 AlGaAs층 및 GaAs 캡층은 분자선 에픽 택시(MBE)방법 및 유기금속 화학기상증착(MOCVD)방법 중 어느하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 마이크로파 및 밀리미터파 검출기 제조방법

5 5

제 3 항에 있어서,

상기 다수의 게이트 전극은 진공 증착기를 이용하여 Al 및 Ti/Au 중 어느 하나의 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 마이크로파 및 밀리터리 검출기 제조방법

6 6

제 3 항에 있어서,

상기 절연막은 프라즈마 화학 기상증착 방법을 이용하여 SiO2로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 마이크로파 및 밀리터리 검출기 제조방법

7 7

제 3 항에 있어서,

상기 제 1 및 2 게이트 단자는 금속의 공중교 기법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 마이크로파 및 밀리터리 검출기 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.