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기판 상부에 형성되는 활성층;상기 활성층의 상부 및 하부 중 일영역에 형성되며 복수의 제1 회절격자를 포함하는 제1 DFB 영역;상기 제1 DFB 영역과 이격된 위치에 형성되며, 상기 활성층의 상부 및 하부 중 일영역에 형성되는 복수의 제2 회절격자를 포함하는 제2 DFB영역; 및상기 제1 DFB영역과 상기 제2 DFB영역 사이에 형성된 위상 변조 영역을 포함하는 다중 영역 DFB(Distributed Feedback) 레이저 소자
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2
제1항에 있어서, 상기 제1 DFB영역 및 상기 제2 DFB영역은,상기 기판 상에 형성된 도파로;상기 활성층 하부의 상기 도파로 상에 형성된 제1 SCH(Separate confinement hetero)층; 및상기 활성층 상에 형성된 제2 SCH(Separate confinement hetero)층을 포함하는 다중 영역 DFB 레이저 소자
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3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 상호 동일한 주기 또는 각각 상이한 주기를 갖는 다중 영역 DFB 레이저 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 회절격자 및 제2 회절 격자 중 적어도 하나는 복소 결합(complex coupled) 회절격자인 다중 영역 DFB 레이저 소자
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5
기판 상에 하부 도파로, 상기 하부 도파로 상부에 활성층 및 상기 활성층 상부에 상부 도파로를 포함하는 제1 DFB 영역에 제1 회절 격자를 형성하는 단계; 상기 기판 상에 형성된 상기 하부 도파로, 상기 활성층 및 상기 상부 도파로를 포함하며 상기 제1 DFB영역과 이격 거리에 위치된 제2 DFB 영역에 제2 회절 격자를 형성하는 단계; 및상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB영역과 상기 제2 회절 격자가 형성된 제2 DFB영역 사이에 위상 변조 영역을 형성하는 단계를 포함하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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6
제5항에 있어서,상기 제1 DFB 영역에 제1 회절격자를 형성하는 단계는, 상기 하부 도파로 또는 상기 상부 도파로 상에 클래딩층을 형성하는 단계;상기 클래딩층 상에 SiNx층을 형성하는 단계;상기 SiNx층 상에 정현파 형태의 포토레지스터를 형성하는 단계;상기 포토레지스터를 마스크로 이용하여 상기 SiNx층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 SiNx층을 이용하여 상기 클래딩층과 상기 하부 도파로 또는 상기 상부 도파로층을 식각하는 단계; 및상기 제1 DFB 영역 내에 형성된 제1 회절 격자를 남기는 단계를 포함하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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7
제5항에 있어서,상기 제2 DFB 영역에 제2 회절격자를 형성하는 단계는, 상기 하부 도파로 또는 상기 상부 도파로 상에 클래딩층을 형성하는 단계;상기 클래딩층 상에 SiNx층을 형성하는 단계;상기 SiNx층 상에 정현파 형태의 포토레지스터를 형성하는 단계;상기 포토레지스터를 마스크로 이용하여 상기 SiNx층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 SiNx층을 이용하여 상기 클래딩층과 상기 하부 도파로 또는 상기 상부 도파로층을 식각하는 단계; 및상기 제2 DFB 영역 내에 형성된 제2 회절 격자를 남기는 단계를 포함하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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8
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 회절 격자에 p타입 이온을 도핑하는 단계를 더 포함하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 포토레지스터를 마스크로 이용하여 상기 SiNx층을 패터닝하는 단계에서는 홀로그래피법 또는 전자선 리소그래피법을 이용하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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10
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 하부 도파로 또는 상기 상부 도파로를 식각하는 단계는 홀로그래피법 또는 전자선 리소그래피법을 이용하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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11
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1 회절격자 및 제2 회절 격자 중 적어도 하나는 복소 결합(complex coupled) 회절격자인 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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12
제5항에 있어서,상기 위상 변조 영역을 형성하는 단계는 상기 상부 도파로 및 상기 활성층을 제거하는 단계를 포함하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 활성층을 제거하는 단계는 리소그래피 방법과 식각법 중 적어도 하나를 이용하는 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법
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제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 다중 영역 DFB 레이저 소자의 제조방법에 따라 제조된 다중 영역 DFB 레이저 소자를 외부 여기 광원으로 활용하여 테라 헤르츠파를 발생하는 방법
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