갈륨비소 전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반절연기판(1)에 P형 매몰층(2)과 활성층(3)을 형성하고 하층박막(4)과 상층박막(5)을 순차로 증착하는 단계와, 상기 상층박막(5)상에 포토레지스트막(6)의 패턴을 형성한 후 마스크로서 사용하여 상기 상층박막(5)을 과식각 하는 단계와, 방향성박막(7)을 증착하고 상기 포토레지스트막(6)을 리프트-오프하여 상기 상층박막(5)의 미세패턴을 형성하는 단계와, 상기 하층박막(4)을 식각하여 노출되는 상기 반절연기판(1) 위에 게이트금속(8)을 증착한 후 게이트저항의 감소를 위한 저저항금속(9)을 증착하는 단계와, 게이트 패턴의 형성을 위한 리프트-오프를 수행한 후 상기 저저항금속(9)을 마스크로서 사용하여 상기 게이트금속(8)을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소의 전계효과 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 하층박막(4)은 Si,SiO,SiN 또는 SiO2와 같은 절연물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨비소의 전계효파 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 저저항금속(9)은 AuGe/Ni/Au의 증착과 열처리공정에 의해 형성되고, 절연막 보조 리프트-오프공정 또는 포토레지스트막을 이용한 리프트-오프공정에 의해 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨비소의 전계효과 트랜지스터의 제조방법

제3항에 있어서, 상기 열처리공정은 400℃의 온도에서 수행되고, 상기 포토레지스트막은 돌출형태 또는 음의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 갈륨비소의 전계효과 트랜지스터의 제조방법