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하전 입자 발생용 타깃, 그 제조 방법 및 이를 이용한 치료 장치

  • 기술번호 : KST2015101252
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하전 입자 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 입사된 레이저 빔에 의해 하전 입자를 발생시키는 타깃층 및 타깃층의 서로 대향하는 양면들 중 하나의 면 상에 제공된 자기조립 단분자막층을 포함하는 하전 입자 발생용 타깃, 및 타깃층으로부터 하전 입자를 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 자기조립 단분자막층으로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함한다. 자기조립 단분자막층은 레이저 빔에 의해 플라즈마를 형성하고, 그리고 타깃층은 플라즈마에 의해 하전 입자를 발생시킨다.
Int. CL A61N 5/10 (2006.01) A61B 18/00 (2006.01)
CPC A61N 5/1001(2013.01) A61N 5/1001(2013.01) A61N 5/1001(2013.01) A61N 5/1001(2013.01)
출원번호/일자 1020120134672 (2012.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0067433 (2014.06.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형주 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 표현봉 대한민국 대전 유성구
3 정문연 대한민국 대전 유성구
4 김승환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0976003-13
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045352-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입사된 레이저 빔에 의해 하전 입자를 발생시키는 타깃층;상기 타깃층의 서로 대향하는 양면들 중 하나의 면 상에 제공된 자기조립 단분자막층을 포함하되,상기 자기조립 단분자막층은 상기 레이저 빔에 의해 플라즈마를 형성하고, 그리고 상기 타깃층은 상기 플라즈마에 의해 상기 하전 입자를 발생시키는 하전 입자 발생용 타깃
2 2
제 1항에 있어서,상기 타깃층은 1 nm ~ 1 mm 범위의 두께를 갖는 하전 입자 발생용 타깃
3 3
제 1항에 있어서,상기 타깃층은 세라믹 물질, 금속 물질 또는 유기 물질을 포함하는 하전 입자 발생용 타깃
4 4
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 상기 레이저 빔에 의해 상기 하전 입자를 발생시키는 하전 입자 발생용 타깃
5 5
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 0
6 6
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 탄소, 수소, 질소, 산소, 황, 인, 실리콘, 철, 염소 또는 브롬과 같은 원소를 포함하는 하전 입자 발생용 타깃
7 7
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층의 말단 작용기는 탄화수소 계열 작용기, 산소를 포함하는 작용기, 할로겐을 포함하는 작용기, 질소를 포함하는 작용기, 또는 인 및 황을 포함하는 작용기를 포함하는 하전 입자 발생용 타깃
8 8
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 두 종류 이상의 물질들로 구성되는 하전 입자 발생용 타깃
9 9
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 복수의 영역들에 제공되되, 상기 복수의 영역들은 배열된 형태를 갖는 하전 입자 발생용 타깃
10 10
제 1항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층의 두께, 종류 또는 작용기에 의해 상기 플라즈마의 밀도가 조절되는 하전 입자 발생용 타깃
11 11
서로 대향하는 양면들을 갖는 타깃층의 하나의 면 상에 자기조립 단분자막층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 자기조립 단분자막층은 입사되는 레이저 빔에 의해 플라즈마를 형성하고, 그리고 상기 타깃층은 상기 플라즈마에 의해 하전 입자를 발생시키는 하전 입자 발생용 타깃의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 타깃층은 1 nm ~ 1 mm 범위의 두께를 갖는 하전 입자 발생용 타깃의 제조 방법
13 13
제 11항에 있어서,상기 타깃층은 세라믹 물질, 금속 물질 또는 유기 물질을 포함하는 하전 입자 발생용 타깃의 제조 방법
14 14
제 11항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 0
15 15
제 11항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 상기 타깃층의 상기 하나의 면 상에 형성되고,상기 자기조립 단분자막층을 형성하는 단계는 자기조립 단분자를 기화시키는 공정인 하전 입자 발생용 타깃의 제조 방법
16 16
제 11항에 있어서,상기 자기조립 단분자막층은 상기 타깃층의 상기 양면들 상에 형성되고,상기 자기조립 단분자막층을 형성하는 단계는 자기조립 단분자가 녹아있는 용매에 상기 타깃층을 침지시키는 공정인 하전 입자 발생용 타깃의 제조 방법
17 17
제 11항에 있어서,상기 타깃층의 상기 양면들 중 다른 하나의 면 상에 상기 레이저 빔의 진행 경로로 사용되는 관통 홀을 갖는 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 하전 입자 발생용 타깃의 제조 방법
18 18
제 1항의 하전 입자 발생용 타깃; 및상기 타깃층으로부터 하전 입자를 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 상기 자기조립 단분자막층으로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함하되,상기 자기조립 단분자막층은 상기 레이저 빔에 의해 플라즈마를 형성하고, 그리고 상기 타깃층은 상기 플라즈마에 의해 상기 하전 입자를 발생시키는 하전 입자 빔 치료 장치
19 19
제 19항에 있어서,상기 하전 입자를 상기 환자의 종양 부위로 인도하는 가이딩 구조체를 더 포함하는 하전 입자 빔 치료 장치
20 20
제 19항에 있어서,상기 레이저 빔은 펨토 초 레이저 빔인 하전 입자 빔 치료 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 종양치료용 레이저 이온 가속 시스템 원천 기술 개발