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동일한오믹금속을전극으로갖는이종접합쌍극자트랜지스터제조방법

  • 기술번호 : KST2015101300
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물반도체 기술에 관한 것으로, 특히 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에 관한 것이며, 소자의 특성 열화를 방지하면서 에미터 전극, 베이스 전극, 콜렉터 전극에 동일한 오믹 금속을 적용할 수 있는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법을 제공하고자 한다. 본 발명은 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터층 및 베이스층, 콜렉터층을 순차적으로 식각하고, 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 화합물반도체 에미터캡층을 재성장 시킨 다음 베이스와 활성영역에 인접한 부콜렉터 상에 재성장 된 화합물반도체 에미터캡층을 식각함으로써 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터 전극, 베이스 전극, 콜렉터 전극에 동일한 오믹 금속을 적용할 수 있도록 하는 기술이다. 즉, 본 발명에서는 콜렉터 전극이 형성되는 부콜렉터층 상에도 에미터 전극 같은 조건 상태에서 전극을 형성하므로 같은 오믹 금속을 동시에 적용하더라도 소자 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이종접합 쌍극자 트랜지스터, 오믹 금속, 전극, 에미터캡층, 부콜렉터층
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019980045132 (1998.10.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0319738-0000 (2001.12.21)
공개번호/일자 10-2000-0027236 (2000.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020308) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 중구
3 박성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0386475-24
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0359497-06
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0359498-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0278379-13
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5405215-73
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2001-5029440-54
7 의견서
Written Opinion		 2001.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2001-5042398-84
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.02.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5042399-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0332611-03
11 FD제출서
FD Submission		 2001.12.22 수리 (Accepted) 2-1-2001-5212335-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

부콜렉터층과 에미터캡층에 서로 다른 물질을 적용하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에 있어서,

화합물반도체 기판 상에 상기 부콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층 및 에미터층을 차례로 형성하는 제1 단계;

상기 에미터층을 선택 식각하여 에미터를 형성하는 제2 단계;

상기 베이스층 및 상기 콜렉터층을 선택 식각하여 베이스 및 콜렉터를 형성하는 제3 단계;

상기 제3 단계를 마친 전체구조 상부에 상기 에미터캡층을 형성하는 제4 단계;

상기 부콜렉터층 상의 상기 에미터캡층의 일부 및 상기 베이스 상의 상기 에미터캡층을 선택 식각하여 상기 베이스 상의 상기 에미터캡층을 제거하고 상기 부콜렉층 상의 상기 에미터캡층과 상기 콜렉터를 격리시키는 제5 단계; 및

상기 베이스, 상기 에미터 상의 에미터캡층 및 상기 부콜렉터층 상의 에미터캡층 상에 동시에 오믹 전극을 형성하는 제6 단계

를 포함하여 이루어진 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 오믹 전극은,

차례로 적층된 Ti/Pt/Au로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 에미터캡층은,

상기 콜렉터 및 상기 에미터와 같은 도전형을 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.