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금속황화물박막제조방법및전계발광소자제조방법

  • 기술번호 : KST2015101320
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 부가물 형태로 결합하여 안정화된 금속배위화합물을 전구체로 사용하여 원자층 증착법 또는 화학증착법으로 ⅡA, ⅢA, ⅢB(란타나이드계 원소포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속의 황화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 중성 리간드와 결합한 배위금속화합물은 통상적인 배위화합물에 비해 대기중에서 수분, 산소 등과 결합하여 변성될 확률이 매우 적고, 또한 표면 반응에 의해서만 진행되는 원자층 증착공정에서 균일도를 증가시키고, 재현성 있는 거동이 있었다. 그리고 리간드 자체는 반응챔버 내에서 반응온도이하에서 배위화합물 분자와 분해하여 반응에 직접 관여하지 않았다. 전자구게 역할을 하는 리간드(L)로는 비공유 전자쌍에 의해 배위화합물을 안정화 시킬 수 있는 아민그룹(NR3, R=hydrogen, methyl, ethyl, propyl), 디아민그룹(ethylenediamine,1,3-diaminopropane,1,2-diaminopropane), 트리아민그룹[N-(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine, diethylenetriamine]을 포함한다. 또한, 상기한 방법을 활용하여 전계발광소자를 제조하는 방법을 포함한다. 실시예로서 형광층이 상, 하부 절연층으로 둘러싸인 이중절연구조 교류형 박막 CaS:Pb 청색 전계발광소자의 제조에서 중성 리간드와 비공유전자쌍을 통하여 결합한 배위금속화합물, Pb(thd)2-L(thd = 2,2',6,6'-tetramethyl-3, 5- heptanedione)과 Ca(thd)2-L을 전구체로 사용하여 색순도외 휘도가 매우 개선된 결과를 얻었다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980041260 (1998.09.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0296981-0000 (2001.05.16)
공개번호/일자 10-2000-0021968 (2000.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20011027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.09.30)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시 유성구
3 박상희 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1998.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0123915-77
2 출원심사청구서
Request for Examination
1998.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0123917-68
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0123916-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0186897-61
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2000.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5299040-70
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5331902-63
7 의견서
Written Opinion
2000.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5331901-17
8 등록사정서
Decision to grant
2001.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0033437-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

ⅡA, ⅢA, ⅢB(란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속의 황화물 다결정 박막 제조방법에 있어서,

중성 리간드가 비공유 전자쌍을 통하여 결합된 금속 배위화합물(coordination compound)을 전구체 중의 하나로 이용한 표면 반응과 기상반응을 통하여 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속의 황화물 다결정 박막은,

아민계 리간드(L)가 배위 결합된 thd- 금속배위화합물 (M(thd)n-Lx, n=1-3, x=0

3 3

제2항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막은,

아민 리간드(L=NR3, R=H, methyl, ethyl, propyl group)가 배위결합된 thd-금속배위ㅣ화합물(M(thd)n-Lx, n=1-3, x=0

4 4

제2항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막은,

디아민 리간드(L=ethylendediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane)가 배위 결합된 thd-금속 배위화합물(M(thd)n-Lx, n=1-3, x=0

5 5

제2항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막은,

디아민 리간드(L=N(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine, diethylenetriamine)가 배위 결합된 thd-금속 배위화합물(M(thd)n-Lx, n=1-3, x=0

6 6

제1항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막은,

아민계 리간드(포함한 N의 수=1-3)가 배위 결합된 dedtc-금속 배위화합물(M(dedtc)n-Lx, n=1-3, x=0

7 7

제1항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막은,

원자층 증착법(공정 압력: 1×10-7torr - 10torr)을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

8 8

제1항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막은,

화학 증착법(공정 압력: 1×10-7torr - 10torr)을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

9 9

제1항에 있어서,

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막은,

PR3(P=phosphorus, R=methyl, ethyl, propyl, cyclohexyl group) 중성 리간드가 배위 결합된 금속배위화합물과 황화수소(H2S)를 전구체로 한 표면 반응과 기상반응을 통하여 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

10 10

상기 ⅡA, ⅢA, ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물 다결정 박막 제조방법에 있어서,

중성 리간드가 비공유 전자상을 통하여 결합된 금속 배위화합물(coordination compound)을 전구체 중의 하나로 이용한 표면 반응과 기상반응을 통하여 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

11 11

전계발광소자 형광막의 모재료로 이용되는 ⅡA족(Mg, Ca, Sr, Ba) 다결정 금속황화물(MS)과 발광중심 원소인 ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속 황화물(M'S)으로 구성된 형광박막에서,

적어도 한 종류 이상의 황화물이 중성 리간드가 비공유 전자상을 통하여 결합된 금속 배위화합물과 황화수소(H2S)를 전구체로 하여 제조되는 형광막을 사용한 전계발광소자 제조방법

12 12

제11항에 있어서,

상기 다결정 MS 형광막 모재료는,

아민계 리간드(L=NR3(R=H, methyl, ethyl, propyl group), ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane, N-(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine, diethylenetriamine)가 배위결합된 M(thd)2-Lx (x=0

13 13

제12항에 있어서,

상기 다결정 MS 형광막 모재료는,

원자층 증착방법(공정 압력: 1×10-7torr - 10torr)을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

14 14

제12항에 있어서,

상기 다결정 MS 형광막 모재료는,

화학 증착방법 (공정 압력: 1×10-7torr - 10torr)을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

15 15

제11항에 있어서,

상기 다결정 MS 형광막 모재료는,

아민계 리간드(L=NR3(R=H, methyl, ethyl, propyl group), ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane, N-(2-aminoethyl)-1,3-propanendiamine, diethylenetriamine)가 배위결합된 Ca(thd)2-Lx (x=0

16 16

제11 또는 제15항에 있어서,

상기 다결정 MS 모재료와 발광중심 M'S 금속황화물로 구성된 형광막은,

아민계 리간드(L=NR3(R=H, methyl, ethyl, propyl group), ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane, N-(2-aminoethyl)-1,3-propanendiamine, diethylenetriamine)가 배위결합된 Pb(thd)2-Lx (x=0

17 17

제11항에 있어서,

상기 다결정 MS 형광막 모재료는,

아민계 리간드(L=NR3(R=H, methyl, ethyl, propyl group), ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane, N-(2-aminoethyl)-1,3-propanendiamine, diethylenetriamine)가 배위결합된 Sr(thd)2-Lx (x=0

18 18

제11 또는 제17항에 있어서,

상기 다결정 MS 모재료와 발광중심 M'S 금속황화물로 구성된 형광막은,

아민계 리간드(L=NR3(R=H, methyl, ethyl, propyl group), ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane, N-(2-aminoethyl)-1,3-propanendiamine, diethylenetriamine)가 배위결합된 Pb(thd)2-Lx (x=0

19 19

제11 또는 제17항에 있어서,

상기 다결정 MS 모재료와 발광중심 M'S 금속황화물로 구성된 형광막은,

아민계 리간드(L=NR3(R=H, methyl, ethyl, propyl group), ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane, N-(2-aminoethyl)-1,3-propanendiamine, diethylenetriamine)가 배위결합된 Ce(thd)2-Lx (x=0

20 20

제11항에 있어서,

상기 발광중심 M'S 금속황화물은,

아민계 리간드(L=NR3(R=H, methyl, ethyl, propyl group), ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,2-diaminopropane, N-(2-aminoethyl)-1,3-propanendiamine, diethylenetriamine)가 배위결합된 M'(thd)2-Lx (x=0

21 21

제20항에 있어서,

상기 다결정 MS 모재료와 발광중심 M'S 금속황화물로 구성된 형광막은,

원자층 증착방법(공정 압력: 1×10-7torr)을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 황화물 박막 제조방법

22 22

제20항에 있어서,

상기 다결정 MS 모재료와 발광중심 M'S 금속황화물로 구성된 형광막은,

화학 증착방법 (공정 압력: 1×10-7torr - 10torr)을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법

23 23

제11항에 있어서,

상기 다결정 MS 모재료와 발광중심 M'S 금속황화물로 구성된 형광막은,

두 종류 이상의 금속황화물(MS)이 혼합 또는 다층구조로 이루어져 있는 모재료에 한 종류 이상의 발광중심 금속황화물(M'S)로 구성된 형광막을 사용한 전계발광소자 제조방법

24 24

전계발광소자 형광막의 모재료로 이용되는 ⅡA족(Mg, Ca, Sr, Ba) 다결정 금속황화물(MS)과 발광중심 원소인 ⅢB (란타나이드 계 원소 포함)족 금속, 전이금속과 ⅣA-족 금속황화물(M'S)으로 구성된 한 층 이상의 형광박막과, 상기 형광박막의 상, 하부에 한 층 이상의 절연층을 포함하는 전계발광 소자에 있어서,

적어도 한층 이상의 구성 박막을 중성 리간드가 비공유 전자상으로 결합된 금속 배위 화합물과 황화수고(H2S)를 전구체로 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법

25 25

제24항에 있어서,

상기 전계발광 소자는,

형광박막 결정성을 향상시키고, 외부 환경으로부터 형광막을 보호하는 ZnS박막을 적어도 한 층 이상 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 전계발과오자 제조방법

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