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고밀도 양자세선 및 양자세선 레이저 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015101322
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도 양자세선 및 양자세선 레이저 제조 방법에 관한 것이며, n형 반도체 물질 상에 감광막을 도포하고 전자빔 묘화법을 이용하여 감광막을 패터닝하므로써 [011] 방향의 띠 모양의 감광막 패턴을 형성한 후, 감광막 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 n형 반도체 물질을 식각하여 (111)A면인 측면, 날카로운 V자 바닥면 및 (100)면인 윗면으로 구성된 홈을 갖는 V자 홈 형태의 기판을 형성한 다음, 상기 감광막 패턴을 제거하고 V자 홈 형태의 기판을 증착장비에 로딩하여, V자 홈의 바닥면 및 윗면에 우물층을 형성하고, 전체 구조 상부에 p형 반도체 물질층을 형성하므로써 양자세선을 제조하여, 이와 같이 제조된 양자세선에 전극을 연결하여 양자세선 레이저를 제조하므로써 낮은 문턱전류밀도를 갖고 효율이 높은 양자 소자 제조가 가능한 고밀도 양자세선 및 양자세선 레이저 제조 방법이 제시된다.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC H01S 5/3408(2013.01) H01S 5/3408(2013.01)
출원번호/일자 1019980052526 (1998.12.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0037777 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.02)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성복 대한민국 대전광역시 유성구
2 노정래 대한민국 대전광역시 유성구
3 박경완 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1998-0403877-19
2 특허출원서
Patent Application		 1998.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1998-0403875-28
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1998-0403876-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0235716-55
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0297055-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n형 반도체 물질 상에 감광막을 도포하고 전자빔 묘화법을 이용하여 감광막을 패터닝하므로써 [011] 방향이고, 감광막 패턴 간의 간격이 w2, 형성하고자 하는 V자 홈의 윗면의 크기가 w4, 언더컷 비율을 r이라 할 때, w1=(1

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 n형 반도체 물질은 n형 GaAs 및 InP 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 n형 반도체 물질은 350 ∼ 500㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 n형 반도체 물질의 운반자 농도는 1018cm-3 이상인 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 감광막은 PMMA, SAL 및 ZEP 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 n형 반도체 물질의 식각 공정은 황산 : 과산화수소수 : 탈이온수의 체적 비율이 2 : 1 : 1인 화학 식각 용액을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 감광막은 감광막으로 PMMA를 사용한 경우 아세톤을 이용하여 제거하고, SAL 또는 ZEP를 사용한 경우에는 이들에 적당한 유기용매를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 증착장비는 유기금속화학 기상 증착장비(MOCVD) 및 화학빔 에피택시(CBE) 장비 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 우물층은 상기 n형 반도체 물질보다 에너지 띠 간격이 좁은 물질을 사용하여 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 우물층은 InGaAs 및 GaAs 중 어느 하나를 이용하여 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

11 11

제 1 항에 있어서,

상기 우물층은 V자 홈의 바닥면과 V자 홈의 윗면에만 형성하며, 상기 V자 홈의 바닥면에는 (111)A면과 (100)면으로 구성된 역삼각형의 단면을 갖는 우물층을 형성하고, V자 홈의 윗면에는 (111)A면과 (100)면으로 구성된 삼각형 형태의 단면을 갖는 우물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

12 12

제 1 항에 있어서,

상기 p형 반도체 물질층은 상기 우물층보다 에너지 띠 간격이 넓은 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

13 13

제 1 항에 있어서,

상기 p형 반도체 물질층은 p형 GaAs, AlGaAs 및 InP 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

14 14

제 13 항에 있어서,

상기 p형 반도체 물질층으로 p형 AlGaAs층을 사용하는 경우 두껑층으로 p형 GaAs박막을 상기 p형 반도체 물징층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

15 15

제 1 항에 있어서,

상기 p형 반도체 물질층의 운반자 농도는 1018cm-3 정도로 하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

16 16

제 1 항에 있어서,

상기 우물층을 형성하기 전 V자 홈 형태의 기판 상에 완충층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

17 17

제 15 항에 있어서,

상기 완충층은 n형 GaAs 및 n형 AlGaAs 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 제조 방법

18 18

n형 반도체 물질 상에 감광막을 도포하고 전자빔 묘화법을 이용하여 감광막을 패터닝하므로써 [011] 방향의 띠 모양의 감광막 패턴을 형성하는 단계와,

상기 감광막 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 n형 반도체 물질을 식각하여 (111)A면인 측면, 날카로운 V자 바닥면 및 (100)면인 윗면으로 구성된 홈을 갖는 V자 홈 형태의 기판을 형성하는 단계와,

상기 감광막 패턴을 제거하고 상기 V자 홈 형태의 기판을 증착장비에 로딩하여, 상기 V자 홈의 바닥면 및 윗면에 우물층을 형성하는 단계와,

전체 구조 상부에 p형 반도체 물질층을 형성하는 단계와,

상기 n형 반도체 물질층에 제 1 전극을 형성하고 상기 p형 반도체 물질층에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 레이저 제조 방법

19 19

제 18 항에 있어서,

상기 제 1 전극은 Au/Au-Ge/Ni을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 레이저 제조 방법

20 20

제 18 항에 있어서,

상기 제 2 전극은 Au/Zn를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자세선 레이저 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.