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이종접합쌍극자소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015101332
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 기판상에 완충층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 에미터 캡층의 선택된 영역에 에미터 전극을 형성하는 단계; 상기 베이스층의 선택된 영역을 노출시키면서 패턴을 형성하기 위한 식각 공정을 실시한 후, 패턴화된 에미터 캡 및 에미터층의 양측벽에 폴리이미드막을 형성하는 단계; 노출된 상기 베이스층상의 선택된 영역에 베이스 전극을 형성하는 단계; 상기 컬렉터층의 일부분을 노출시키면서 패턴을 형성하기 위한 식각 공정을 실시한 후, 패턴화된 베이스 및 일부 컬렉터층의 양측벽에 P-SiN막을 형성하는 단계; 상기 부컬렉터층의 일부분을 노출시키면서 잔류 컬렉터층 및 부컬렉터층 일부가 역경사 형상이 되도록 식각한 후, 잔류된 부컬렉터층의 선택된 영역에 컬렉터 전극을 형성하는 단계; 및 열처리를 실시하여 상기 패턴화된 베이스층, 상기 컬렉터층 및 상기 부컬렉터층의 일부가 비소자 영역이 되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지며, 소자의 고속 및 고주파 특성을 향상시킬 수 있는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법을 제공한다. 이종접합 쌍극자 소자, 에미터 전극, 폴리이미드막, 베이스 전극, P-SiN, 역경사, 컬렉터 전극
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980034520 (1998.08.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0305593-0000 (2001.07.31)
공개번호/일자 10-2000-0014894 (2000.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20011019) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.08.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
2 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
3 이태우 대한민국 대전광역시 중구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1998-0105235-16
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1998-0105236-62
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1998-0105237-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0223042-65
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5327930-92
6 의견서
Written Opinion		 2000.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5370094-24
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5370093-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 등록사정서
Decision to grant		 2001.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0165980-51
10 FD제출서
FD Submission		 2001.08.01 수리 (Accepted) 2-1-2001-5128859-04
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055004-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판상에 완충층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 에미터 캡층의 선택된 영역에 에미터 전극을 형성하는 단계;

상기 베이스층의 선택된 영역을 노출시키면서 패턴을 형성하기 위한 식각 공정을 실시한 후, 패턴화된 에미터 캡 및 에미터층의 양측벽에 폴리이미드막을 형성하는 단계;

노출된 상기 베이스층상의 선택된 영역에 베이스 전극을 형성하는 단계;

상기 컬렉터층의 일부분을 노출시키면서 패턴을 형성하기 위한 식각 공정을 실시한 후, 패턴화된 베이스 및 일부 컬렉터층의 양측벽에 P-SiN막을 형성하는 단계;

상기 부컬렉터층의 일부분을 노출시키면서 잔류 컬렉터층 및 부컬렉터층 일부가 역경사 형상이 되도록 식각한 후, 잔류된 부컬렉터층의 선택된 영역에 컬렉터 전극을 형성하는 단계; 및

열처리를 실시하여 상기 패턴화된 베이스층, 상기 컬렉터층 및 상기 부컬렉터층의 일부가 비소자 영역이 되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 에미터층 및 상기 컬렉터층은 n형 불순물이, 상기 베이스층은 p형 불순물이 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 에미터 전극은 텅스텐, 텅스텐실리콘 및 질화텅스텐 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 폴리이미드막은 1 내지 3 ㎛의 두께로 폴리이미드막이 도포된 후, 이방성이 큰 반응성 이온 식각 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 P-SiN막은 고농도의 아연이 도핑된 1 내지 3 ㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법

6 6

에미터, 베이스 및 컬렉터층을 구비한 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법에 있어서,

상기 베이스 및 컬렉터층의 양측벽에 아연이 도금된 P-SiN막을 형성하는 단계; 및

상기 베이스 및 컬렉터층을 감소시키기 위해, 열처리를 실시하여 상기 베이스 및 컬렉터층의 일부가 비소자 영역이 되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조 방법

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1 US06221783 US 미국 FAMILY

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1 US6221783 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.