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나프탈렌과카바졸을포함하는새로운발광고분자,그의제조방법및이를이용한전기발광소자

  • 기술번호 : KST2015101335
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 발광 고분자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 전기발광소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 발광 고분자는, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 것과 같이, 나프탈렌비닐렌과 카바졸비닐렌 단위가 규칙적으로 반복되는 구조를 갖는다. 또한, 본 발명에 따른 발광 고분자의 제조방법은, 나프탈렌의 포스포늄염 또는 포스폰산염을 카바졸 디알데히드와 비티히 반응 또는 비티히-에몬스 반응시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 전기발광소자는, 이와 같은 발광 고분자를 발광층 및 정공 수송층 중 적어도 1개 층 이상에 사용한 것을 특징으로 한다. [화학식 1][화학식 2]
Int. CL C08G 61/12 (2006.01)
CPC C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01)
출원번호/일자 1019980053778 (1998.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0289059-0000 (2001.02.14)
공개번호/일자 10-2000-0038697 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황도훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 정태형 대한민국 대전광역시 유성구
3 안택 대한민국 대전광역시 유성구
4 심홍구 대한민국 대전광역시 유성구
5 도이미 대한민국 대전광역시 대덕구
6 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0454188-54
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0421352-84
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0421351-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0195561-47
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.10.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5305955-17
6 의견서
Written Opinion		 2000.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2000-5305954-72
7 등록사정서
Decision to grant		 2001.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0011138-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하기 화학식 1로 표시되는 발광 고분자:

[화학식 1]

2

하기 화학식 2로 표시되는 발광 고분자:

[화학식 2]

3

하기 화학식 3으로 표시되는 나프탈렌의 포스포늄염 또는 하기 화학식 4로 표시되는 나프탈렌의 포스폰산염을, 하기 화학식 5로 표시되는 카바졸 디알데히드와 비티히 반응 또는 비티히-에몬스 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1로 표시되는 발광 고분자의 제조방법:

[화학식 3]

4

하기 화학식 6으로 표시되는 나프탈렌의 포스포늄염 또는 하기 화학식 7로 표시되는 나프탈렌의 포스폰산염을, 하기 화학식 5로 표시되는 카바졸 디알데히드와 비티히 반응 또는 비티히-에몬스 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 2로 표시되는 발광 고분자의 제조방법:

[화학식 6]

5

청구항 제1항 또는 제2항 기재의 발광 고분자를 발광층으로 사용한 것을 특징으로 하는 단일층 전기발광소자

6 6

청구항 제1항 또는 제2항 기재의 발광 고분자를 발광층 및 정공 수송층 중 적어도 1개 층 이상에 사용한 것을 특징으로 하는 다층 박막 전기발광소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.