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발광 소자 및 발광 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015101358
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 발광 소자에서 무기 발광 소자는 투명 전극과 접촉되는 발광층 또는 상부 도핑층에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 투명 전극과 상부 도핑층과의 접촉력을 향상시킨 것이고, 또한, 본 발명에 따른 발광 소자에서 유기 발광 소자는 투명 전극이 접촉되는 기판, 특히 플라스틱 기판 상부에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 기판과 투명 전극과의 접촉력을 향상시킨 것이다. 이와 같이 본 발명에 따른 발광 소자는 투명 전극의 접촉력을 개선시킴으로써 층분리를 방지하여 발광 소자의 효율을 개선시키면서 동시에 생산 수율을 향상시킨다. 발광, 소자, 플라즈마, 접촉력
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020050052859 (2005.06.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0659579-0000 (2006.12.13)
공개번호/일자 10-2006-0064477 (2006.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20061220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040102927   |   2004.12.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.20)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경현 대한민국 대전 서구
2 박래만 대한민국 대전 유성구
3 김태엽 대한민국 서울 은평구
4 성건용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0324599-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0361365-17
3 의견서
Written Opinion		 2006.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0608501-66
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0608491-97
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0729995-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 하부 도핑층;상기 하부 도핑층의 상부에 형성된 발광층;상기 발광층 상부에 형성된 산화막, 질화막 및 금속막으로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되어 형성된 플라즈마 식각층; 및상기 플라즈마 식각층 상부에 형성된 투명 전극층을 포함하는 무기 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 식각층 하부의 상기 발광층 상에 형성된 상부 도핑층을 더 포함하는 무기 발광 소자
3 3
제 2항에 있어서, 상기 기판은 p형 또는 n형 반도체 기판이고, 상기 하부 도핑층은 p형 또는 n형 도핑층이며,상기 상부 도핑층은 상기 하부 도핑층이 n형인 경우에는 p형 도핑층이며, 상기 하부 도핑층이 p형인 경우에는 n형 도핑층인 무기 발광 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 식각층은 10㎚ 이하의 두께인 무기 발광 소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 산화막은 SiO2로 형성되고, 상기 질화막은 Si3N4로 형성되고, 상기 금속막은 Au, Ag, Al, Ni, Cu로 이루어진 군에서 일종 이상 선택된 금속으로 형성되는 것인 무기 발광 소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 투명 전극은 ITO, InSnO, ZnO, SnO2, NiO 및 Cu2SrO2로 이루어진 군에서 선택된 일종 이상의 산화물로 형성되거나, CuInO2:Ca 또는 InO:Mo의 산화물에 n형 또는 p형 물질을 도핑하여 형성되는 것인 무기 발광 소자
7 7
기판 상에 하부 도핑층을 형성하는 단계;상기 하부 도핑층의 상부에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층의 상부에 상부 도핑층을 형성하는 단계;상기 상부 도핑층의 상부에 산화막, 질화막 및 금속막으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 막을 형성하는 단계;상기 막 상부에 플라즈마를 이용하여 표면을 식각하여 플라즈마 식각층을 형성하는 단계;상기 플라즈마 식각층 상부에 투명 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 플라즈마는 N2, O2, Ar, CF4, SF6 및 NF3로 이루어진 군에서 1종 이상 선택된 가스를 이용하여, 1x10-4 내지 5x10-5 torr의 압력하에서 10 sccm 내지 20 sccm 속도로 5내지 10초 동안 처리되는 것인 무기 발광 소자의 제조방법
9 9
기판;상기 기판상에 형성된 산화막, 질화막 및 금속막으로 이루어진 군에서 1종 이상 선택된 플라즈마 식각층;상기 플라즈마 식각층 상부에 형성된 투명 전극층;상기 투명 전극층 상부에 형성된 유기층; 및상기 유기층 상부에 형성된 금속 전극층을 포함하는 것인 유기 발광 소자
10 10
제 9항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판이고, 상기 유기층은 발광층인 유기 발광 소자
11 11
제 9항에 있어서, 상기 플라즈마 식각층은 10㎚ 이하의 두께인 유기 발광 소자
12 12
제 9항에 있어서, 상기 산화막은 SiO2로 형성되고, 상기 질화막은 Si3N4로 형성되고, 상기 금속막은 Au, Ag, Al, Ni, Cu로 이루어진 군에서 일종 이상 선택된 금속으로 형성되는 것인 유기 발광 소자
13 13
제 9항에 있어서, 상기 투명 전극은 ITO, InSnO, ZnO, SnO2, NiO 및 Cu2SrO2로 이루어진 군에서 선택된 일종 이상의 산화물로 형성되거나, CuInO2:Ca 또는 InO:Mo의 산화물 전극에 n형 또는 형 물질을 도핑하여 형성되는 것인 반도체 발광 소자
14 14
플라스틱 기판 상에 산화막, 질화막 및 금속막으로 이루어진 군에서 1종 이상 선택된 막을 형성하는 단계;상기 막 상부에 플라즈마를 이용하여 표면을 식각하여 플라즈마 식각층을 형성하는 단계;상기 플라즈마 식각층 상부에 유기층을 형성하는 단계; 및상기 유기층의 상부에 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 플라즈마는 N2, O2, Ar, CF4, SF6 및 NF3로 이루어진 군에서 1종 이상 선택된 가스를 이용하여, 1x10-4 내지 5x10-5 torr의 압력하에서 10 sccm 내지 20 sccm 속도로 5내지 10초 동안 처리되는 것인 유기 발광 소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01820223 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP20517477 JP 일본 FAMILY
3 US20090101928 US 미국 FAMILY
4 WO2006062350 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1820223 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1820223 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2008517477 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2008517477 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2008517477 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2009101928 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2006062350 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.