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다이아몬드진공소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015101393
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드 진공 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 다이아몬드 박막을 전계 방출용으로 이용하는 진공 소자 제조 방법에 관한 것이다. 진공 소자는 전자의 방출 팁으로 텅스텐이나 타이타늄 합금등의 내화 금속을 사용하는데, 이들 금속의 전자방출을 위해서는 가열을 하거나 수 십 ∼ 수 백 V 이상의 높은 전압을 걸어 주어야 한다. 따라서 반도체 칩 위에 장착할 수 있는 만큼의 크기로 축소시키기도 어렵고 기대하는 만큼의 성능을 얻기가 어렵다. 또한 공정이 매우 복잡하고 정밀한 장치 및 제어기술이 필요한 문제점 및 제작 단가가 비싸고 수율도 높지 않은 것이 단점이다. 본 발명에서는, 낮은 전압에서도 전자 방출이 가능하고 화학적인 변화에 강하며 음성 전자친화력을 가지고 있는 다이아몬드를 사용하여 고속 및 고전압용 진공 소자를 제조하는 방법을 제시한다.
Int. CL H01L 29/68 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970047535 (1997.09.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0296710-0000 (2001.05.14)
공개번호/일자 10-1999-0025772 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20010807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백문철 대한민국 대전광역시 유성구
2 남기수 대한민국 대전광역시 유성구
3 최성우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150773-78
2 특허출원서
Patent Application		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150772-22
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150774-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0151770-63
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.08.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5259420-90
6 의견서
Written Opinion		 2000.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2000-5259419-43
7 등록사정서
Decision to grant		 2001.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0059191-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 FD제출서
FD Submission		 2001.05.17 수리 (Accepted) 2-1-2001-5081094-47
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판 상에 산화 공정을 실시하여 실리콘 산화막을 형성한 후, 다결정 실리콘 배선층을 증착하고 음극 형태로 패터닝하는 단계와,

상기 다결정 실리콘 배선층 상부에 선택적 증착 방법으로 다이아몬드 박막을 증착하여 다이아몬드 음극을 형성하는 단계와,

상기 실리콘 산화막 상부에 내화 금속 박막을 증착한 후 패터닝 하여 게이트와 양극을 형성하되, 상기 다이아몬드 음극, 게이트 및 양극이 동일 평면상에 존재 하도록 상기 다이아몬드 음극의 전자방출 방향에 대해 좌우로 상호 대칭적인 위치에 게이트를 형성하고, 상기 다이아몬드 음극의 전자방출 방향과 대향하는 위치에 양극을 형성하는 단게와,

상기 다이아몬드 음극, 게이트 및 양극의 일부가 노출되도록 전체 구조 상부에 감광막 패턴을 형성한 후 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 이용하여 노출된 상기 실리콘 산화막과 상기 다이아몬드 음극, 게이트 및 양극 하부의 실리콘 산화막까지 식각하여 상기 다이아몬드 음극, 게이트 및 양극의 일부가 공간에 떠있도록 하는 단계와,

상기 감광막 패턴을 제거한 후, 반전 마스크 패턴을 이용하여 상기 공간 내부에 감광막을 매립하는 단계와,

상기 감광막 일부가 노출되도록 전체 구조 상부에 제 1 실리콘 산화막을 증착한 후 상기 공간 내부에 채워진 감광막을 노출된 부분을 통하여 제거하는 단계;

전체구조 상부에 제 2 실리콘 산화막을 증착하여 상기 다이아몬드 음극, 다결정 실리콘 배선층, 게이트 및 양극 일부가 떠있도록 형성된 상기 공간을 진공포장하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다이아몬드 진공 소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 다결정 실리콘 배선층은 고농도로 n- 이온이 도핑된 다결정 실리콘 이고 상기 내화 금속 박막은 타이타늄 또는 텅스텐인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 진공 소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 내화 금속 박막은 기판의 지지 없이도 충분한 강도를 유지할 수 있도록 수 ㎛ 정도의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 진공 소자의 제조 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06040001 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6040001 US 미국 DOCDBFAMILY
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