맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015101400
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고속 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 캐리오 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 광흡수층과, 상기 광흡수층의 상부에 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 그레이딩층과, 상기 그레이딩층의 상부에 두께×캐리어농도가 2.5∼3.5×1012㎝-2로 조절되게 결정 성장된 제1도전형 InP의 전하층과, 상기 전하층의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InP의 증폭층과, 상기 증폭층의 소정 부분에 2차례의 확산에 의해 형성된 제2도전형이 고농도로 도핑된 InP의 제2가드링과, 상기 제2가드링의 사이에 1차례의 확산에 의해 제2도전형의 불순물이 상기 제2가드링의 확산 깊를 갖도록 고농도로 도핑되어 형성된 InP의 활성영역과, 상기 증폭층의 상부에 상기 활성 영역의 상부와 접촉되게 형성된 제2도전형전극과, 상기 활성영역 이외의 증폭층의 상부에 형성된 표면보호층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면에 상기 제2도전형 전극과 대응되게 형성된 무반사막과 상기 반도체 기판 하부 표면의 무반사막이 형성되지 않은 부분에 형성된 제1도전형 전극을 포함한다.따라서, 제1가드링 보다 제2가드링의 확산 깊이를 더 깊게 하므로 활성영역의 모서리 부분의 전기장 세기가 상대적으로 낮아지게 되어 효과적인 가드링이 가능하며, 또한, 제2가드링의 깊이를 활성 영역의 깊이와 같이 조절 할 수 있어 공정이 매우 쉽고 깊이 조절이 용이하며, 그리고, 제2가드링을 하나만 형성하므로 다이오드의 면적을 줄일 수 있고, 따라서, 다이오드의 커팬시컨스를 줄일 수 있으며, 증폭층 폭을 0.2∼0.3㎛로 할 수 있기 때문에 이득-대역폭의 곱을 100GHZ 이상으로 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1019950050531 (1995.12.15)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0175440-0000 (1998.11.10)
공개번호/일자 10-1997-0054557 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.15)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박찬용 대한민국 대전광역시 유성구
2 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196358-20
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196359-76
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.15 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196360-12
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196361-68
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196362-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0103782-12
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196363-59
8 의견서
Written Opinion		 1998.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196364-05
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0196365-40
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0103783-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAs의 광흡수층과, 상기 광흡수층의 상부에 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3로 결정 성장된 제1도전형 InGaAsP의 그레이딩층과, 상기 그레이딩층의 상부에 두께×캐리어농도가 2

2 2

제1항에 있어서, 상기 광흡수층이 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 그레이딩층이 0

4 4

제1항에 있어서, 상기 증폭층의 폭이 0

5 5

제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 InP의 반도체 기판의 상부에 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 제1도전형 InGaAs의 광흡수층, 한층 또는 여러 층으로 구성되고, InP와 격자 정합되며, 캐리어 농도가 1∼5×1015cm-3인 제1도전형 InGaAsP의 그레이딩층, 두께×캐리어농도가 2

6 6

제5항에 있어서, 상기 층들을 LPE, MBE 또는 MOCVD의 결정 성장 방법으로 형성하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법

7 7

제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2가드링 형성시 확산원으로 Zn3P2를 사용하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2가드링 형성시 500∼550℃의 온도로 확산하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법

9 9

제5항에 있어서, 상기 활성영역 형성시 확산원으로 Zn3P2를 사용하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법

10 10

제9항에 있어서, 상기 활성영역 형성시 500∼550℃의 온도로 확산하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법

11 11

제5항에 있어서, 상기 제2도전형 전극 형성 후 상기 반도체 기판의 하부 표면을 연마하는 공정을 더 구비하는 초고속 애벌랜치 포토다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.