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규소기판[40]상에 컬렉터용 규소박막층[41][42]을 성장한다음 이온주입하여 컬렉터의 금속접촉용 연결부분[43]을 형성하고, 이어 트렌치[44]를 형성하는 공정과, 상기 규소박막층[42]상에 절연막[45], 다결정규소[46], 절연막[47]을 순차 도포하는 공정과, 상기 규소박막층[42]상에 도포된 막을 식각하되, 상기 절연막[47]과 다결정규소[46]는 이방성 식각하고 상기 절연막[45]은 등방성 식각하여 소자의 활성영역을 정의하는 공정과, 이어 다결정규소막[48]을 증착한 다음 열산화하여 등방성 식각된 절연막[45]의 측면홈 부분에 산화되지 않은 다결정규소[49]를 형성하는 공정과, 상기 산화된 다결정규소막[48]을 제거하는 공정과, 분자선 결정박막 성장법을 이용하여 베이스[50]를 성장한 다음 마스크를 사용하여 베이스층[46]을 정의하고, 이어 절연막을 도포 및 식각하여 에미터를 정의하는 공정과, 상기 절연막을 제거한 다음 다결정규소를 증착하고 아울러 마스크로 에미터 다결정규소[53]와, 컬렉터 다결정규소[54]를 정의하는 공정과, 최종, 절연막[55]을 증착한 후 식각하여 식각된 부분에 금속[56]을 배선하는 공정을 포함하는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
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