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씨엠오에스 공정에서 기생 바이폴라 트랜지스터의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015101473
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표준 CMOS 공정을 이용하여 기생 바이폴라 트랜지스터를 형성하는 방법을 제공한다.본 발명은 CMOS 트랜지스터의 제조시에 NMOS 트랜지스터를 정의하기 위해 기판에 형성되는 p-웰을 베이스로 이용하고, NMOS 트랜지스터의 소오스/드레인 영역으로 형성된 n+영역을 에미터로 이용하며, 기판을 컬렉터로 이용하여 기생 바이폴라 트랜지스터를 형성하고, 특히 p-웰을 소자 격리위해 형성되는 p+영역과 접하도록 형성 하여 p+영역에 베이스 전극을 형성한다.
Int. CL H01L 27/085 (2006.01)
CPC H01L 21/8249(2013.01) H01L 21/8249(2013.01)
출원번호/일자 1019970071654 (1997.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0052205 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종대 대한민국 대전광역시 유성구
2 손진우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223702-37
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223704-28
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0223703-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0187941-51
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5299037-32
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5331912-19
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0061134-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

표준 CMOS공정을 이용하여 기생 바이폴라 트랜지스터를 형성하는 방법에 있어서,

n형 기판상에 NMOS 트랜지스터 영역을 정의하기 위해 형성된 p-웰을 베이스로 이용하고,

상기 NMOS 트랜지스터의 소오스/드레인 영역인 n+영역을 에미터로 이용하며,

상기 n 형 기판을 컬렉터로 이용하는 기생 바이폴라 트랜지스터의 형성방법

2 2

상기 베이스로 작용하는 p-웰은 소자 격리영역인 p+영역과 접속되고, 이 p+영역에 베이스 전극을 형성하는 기생 바이폴라 트랜지스터의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.