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갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링방법

  • 기술번호 : KST2015101482
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링 방법에 관한 것으로서, 종래 저잡음 회로, 설계에 있어서 사용하고자 하는 소자의 게이트 폭에 대하여 사용되는 전류의 크기에 따라 주파수별로 잡음특성이 주어져야만 설계가 가능하였던 문제점을 해결하기 위해 각 잡음원의 크기를 드레인 전류변화에 대해 4개의 파라미터로 진성저항의 잡음온도와 출력단 등가 잡음 콘덕턴스를 기술함으로써 GaAs MESFET에 대하여 네개의 파라미터만 주어지면 설계가 가능하므로 회로 설계의 편이성을 가질 수 있는 것이다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H03F 1/223(2013.01) H03F 1/223(2013.01)
출원번호/일자 1019950049251 (1995.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0170488-0000 (1998.10.15)
공개번호/일자 10-1997-0054456 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창석 대한민국 대전광역시 서구
2 김민건 대한민국 대전광역시 유성구
3 이종람 대한민국 대전광역시 유성구
4 편광의 대한민국 대전광역시 동구
5 박형무 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 에스케이 텔레콤주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0191785-41
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0191784-06
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0191786-97
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0191787-32
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0191788-88
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0101192-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

진성 트랜스터의 잡음온도로 표현되는 입력단 전압전음원 그리고 등가 잡음 콘덕턴스로 표현되는 출력단 전류 잡음원으로 구성된 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 잡음 특성에 있어서, 각 잡음원의 크기를 드레인 전류변화에 대해 4개의 파라미터로 진성저항의 잡음온도와 출력단 등가 잡음 콘덕턴스를 기술하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기에서 출력단 잡음 전류원의 크기가 드레인 전류가 흐르지 않을때는 0이라고 가정하여 3개의 파라미터만으로 진성저항의 잡음온도와 출력단 등가 잡음 콘덕턴스를 기술하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 진성저항의 잡음 온도가 드레인 전류에 무관하다고 가정하고 3개의 파라미터만으로 진성저항의 잡음온도와 출력단 등가 잡음 콘덕턴스를 기술하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 드레인 전류가 흐르지 않을 때 출력단 전류잡음원의 크기가 0 이라고 가정하고 2개의 파라미터만으로 진성저항의 잡음온도와 출력단 등가 잡음 콘덕턴스를 기술하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 전계효과 트랜지스터의 고주파 잡음모델링 방법

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1 JP09162200 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9162200 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09162200 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.