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오존고압산화방법

  • 기술번호 : KST2015101500
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명 반도체 소자제조용 절연막을 제조하기 위한 장치에 관한 것으로 특히 산화막 성장속도를 빠르게 할 뿐만아니라 저온에서도 박막 균일도가 우수한 산화막을 형성하거나 저온에서 열처리를 하기 위한 오존고압 산화방법에 관한 것이다.종래의 열산화 방법은 800℃이하의 온도에서 열산화막을 성장시킬 경우 너무 성장속도가 느리며 공정이 어렵고, 600℃이하의 저온절연막 방법은 실리콘 기판과 산화막 사이의 계면을 불균일하고 전기적인 특성과 박막의 균일도가 좋지 못한 문제점 등이 발생하였다.본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 공정가스로 오존(O3)과 산소를 사용하고 여기에 자외선을 조사하므로써 산화속도를 증가시키고 보다 낮은 온도에서 양질의 산화막이 성장되도록 한 것이다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/0223(2013.01)
출원번호/일자 1019940028976 (1994.11.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0137593-0000 (1998.02.10)
공개번호/일자 10-1996-0019571 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병곤 대한민국 대전직할시유성구
2 전치훈 대한민국 대전직할시유성구
3 구진근 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131044-19
2 특허출원서
Patent Application		 1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131043-63
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131045-54
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131046-00
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131047-45
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0073305-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

시편을 석영반응로내에 위치시킨 후 질소가스를 흘려 설정온도 550℃로 가열하는 가열공정과,

상기 가열공정후 고압가압 용기내에는 질소가스를 석영반응로 내에는 공정가스(O3/O2)을 주입하는 가압공정을 통해 설정압력이 20기압이고 500∼600℃인 설정온도에서 산화막을 성장시키는 산화막 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 공정가스중 오존은 오존발생기로 부터 공급되며 유량이 3SLM이고 농도(O3/O2)가 10wt%인 오존고압 산화방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 가압공정중 반응로내에 오존을 공급하기 전에 오존발생기에서 발생한 오존에 자외선을 조사하는 자외선 조사공정을 부가한 오존고압 산화방법

4 4

시편을 석영반응로 내에서 질소가스를 흘려 550℃로 가열하는 가열공정과,

상기 가열공정후 고압가압 용기내에는 질소가스를 석영반응로 내에는 공정가스로 자외광을 조사시킨 오존(O3)가스와 유기계 실리콘 원료를 함께 주입하는 가압공정을 통해 400℃이하의 설정온도에서 산화막을 성장시키는 산화막 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.