기판위에 완충층, 클래드층, 활성층 클래드층, 오믹접촉층의 다중양자우물 구조를 갖도록 MOCVD 또는 그외의 결정성장 방법으로 결정성장시킨 후 포토레지스트 마스킹, 절연막과 전극을 입히는 공정을 통하여 리지부분과 채널부분을 갖는 고출력 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저 제작방법에 있어서,

상기 리지부분의 식각 후 채널부분과의 경계 부분에 완화된 밴드갭과 유효굴절률을 갖도록 소정의 이온주입물질을 포토레지스터 마스크 또는 산화막마스크를 사용하여 소정부위에 이온주입하고,

상기 주입된 이온주입부위를 다시 마스킹한 후 소정의 간격을 두고 근처의 새로운 주입부에 새로운 이온주입물질을 포토레지스터 마스크 또는 산화막마스크를 사용하여 이온주입하되 상기 과정을 주입하고자 하는 물질의 종류 수만큼 다단계로 반복하는 다단계 이온주입공정과;

상기 밴드갭과 다른 이온주입물질 또는 이온주입 깊이와 주입량에 따라 유효굴절율이 다른 이온주입공정을 다단계로 반복한 후 상기 서로 다른 이온이 주입된 결정성장층을 혼정화시키도록 열처리 공정을 수행하여 완화된 밴드갭과 유효굴절율을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 고출력 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저 제작방법

제 1 항에 있어서,

상기 다단계 이온주입공정과, 열처리공정을 1 차 결정성장을 수행한 후 상기 1 차 결정성장층에 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 고출력 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저 제작방법

기판위에 완충층, 클래드층, 활성층 클래드층, 오믹접촉층의 다중양자우물 구조를 갖도록 MOCVD 또는 그외의 결정성장 방법으로 결정성장시킨 후 포토레지스터 마스크, 절연막과 전극을 입히는 공정을 통하여 리지부분과 채널부분을 갖는 고출력 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저 제작방법에 있어서,

상기 리지부분의 식각 후 채널부분과의 경계 부분에 완화된 밴드갭과 유효굴절률을 갖도록 소정의 이온확산물질을 포토레지스터 마스크 또는 산화막마스크를 사용하여 소정부위에 이온확산하고,

상기 확산된 이온확산부위를 다시 마스킹한 후 소정의 간격을 두고 근처의 새로운 확산부에 새로운 이온확산물질을 포토레지스터 마스크 또는 산화막마스크를 사용하여 이온확산하되 상기 과정을 확산하고자 하는 물질의 종류 수만큼 다단계로 반복하는 다단계 이온확산공정과;

상기 밴드갭과 다른 이온확산물질 또는 이온확산 깊이와 확산량에 따라 유효굴절율이 다른 이온확산물질을 이온확산하는 이온확산공정을 다단계로 반복한 후 상기 서로 다른 이온이 확산된 결정성장층을 혼정화시키도록 열처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 고출력 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저 제작방법