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갈륨비소금속반도체전계효과트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015101527
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨비소 반도체의 표면에 절연막을 증착하고 채널부위에 절연막이 잔류하도록 패터닝과 에칭을 한 후 N+영역을 형성하기 위한 조건의 이온주입을 전극접합영역과 절연막으로 보조된 채널부위에 일회 실시하여 N+영역과 채널부위의 저농도 N 영역을 동시에 형성시키고 오옴전극과 리세스에칭(recess etching)된 영역에 게이트를 형성하는 금속반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Semiconductor Field Effect Transistor : MESFET)의 제조방법.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01) H01L 29/78(2013.01)
출원번호/일자 1019920025004 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0099073-0000 (1996.05.06)
공개번호/일자 10-1994-0016939 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019960001615 (19960202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경호 대한민국 대전직할시중구
2 양전욱 대한민국 대전직할시대덕구
3 최영규 대한민국 대전직할시동구
4 조경익 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135752-39
2 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135748-56
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135749-02
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135750-48
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135751-94
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135753-85
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045143-04
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135754-20
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135755-76
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135756-11
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135757-67
12 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1995.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045144-49
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135760-05
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135759-58
15 의견서
Written Opinion		 1995.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135758-13
16 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045145-95
17 등록사정서
Decision to grant		 1996.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045147-86
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소 금속반도체 전계효과트랜지스터를 제조한 방법에 있어서, 반절연 갈륨비소 반도체 기판(201)상에 규소 질화막(202)을 증착하고 이 규화 질화막(202) 상부의 소정 부분에 N+ 패턴 감광막(203)을 형성하고 상기 N+ 패턴 감광막(203)이 형성되지 않은 부분의 규화 질화막(202)을 식각하는 단계와, 상기 N+ 패턴 감광막(203)을 제거하고 소자영역 이외의 규소 질화막(202)의 상부에 N형 채널 패턴 감광막(204)을 형성하고 규소이온을 주입하여 불순물영역(205)을 형성하는 단계와, 상기 N형 채널 패턴 감광막(204)을 제거한 후 절연막(206)을 전표면 증착하고 열처리하여 불순물영역(205)내의 주입된 불순물 활성화시키는 단계와, 상기 절연막(206)을 제거하고 상기 불순물영역(205)의 상부에 오옴전극(208)을 형성하는 단계와, 상기 소자 영역 내의 규소 질화막(202)을 제외한 부분에 게이트 전극 패턴 감광막(209)을 형성하고 상기 기판(201)이 소정 깊이로 식각되도록 상기 규소질화막(202)을 제거하는 단계와, 상기 노출된 기판(201)의 상부에 게이트전극(201)을 형성하고 상기 게이트 전극 패턴 감광막(209)을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 금속반도체 전계효과 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.