LDD(Lightly Doped Drain)형 소스 및 드레인을 갖고 홈구조를 갖는 금속 산화물 반도체(MOS) 소자를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 기판(18) 상에 활성영역(18)을 정의한 다음, 게이트 산화막(24)을 성장시키고 제1게이트 전극(14)을 패턴 형성하는 제1공정과; 상기 패턴형성된 제1게이트 전극에 산화막(22)을 증착시킨 후 이 위에 실리콘 질화막을 형성하고서 이방성 식각에 의해 상기 제1게이트 전극 양측에 측벽 절연막(26)을 형성하고, 이 절연막을 마스크로 하여 열산화에 의해 열산화막(22, 28)을 형성하는 제2공정과; 상기 절연막(26) 및 그 하부의 열산화막을 식각에 의해 제거한 후 상기 제1게이트 전극(14) 양측에 상기 실리콘 기판을 건식 또는 습식식각에 의해 일정 깊이만큼 식각하여 홈형태를 만드는 제3공정과; 게이트의 채널형성을 위한 이온주입을 수행한 후 홈구조의 게이트 산화막(30)을 형성하고, 이 위에 제2게이트 전극(20)을 형성하는 제4공정과; LDD형 소스 및 드레인을 형성하기 위하여 상기 소스 및 드레인 영역에 상기 실리콘 기판과 반대도전형의 불순물을 1차 이온주입(16a)을 수행하는 제5공정과; 상기 제5공정의 결과물 위에 절연막을 증착한 후 이방성 식각에 의해 게이트 전극(20)에 측벽에만 스페이서(32)를 형성하는 제6공정과; 및 다시 고농도의 2차 이온주입(16b)을 수행하여 소스 및 드레인을 형성하는 제7공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 홈구조의 금속 산화물 반도체 소자 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제3공정 후, 문턱전압 조절이나 누설전류 차단을 위해 상기 홈형태 아래에 불순물 이온을 주입하는 공정을 더 추가하는 것을 특징으로 하는 홈구조의 금속 산화물 반도체 소자 제조방법