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제 1 전극;상기 제 1 전극에 전기적으로 연결되고, p형 또는 n형 불순물로 도핑된 실리콘을 포함하는 기판;상기 기판 상에 배치되고, 금속 절연체 전이 물질 또는 강상관 금속을 포함하는 박막; 및상기 박막 상의 제 2 전극을 포함하되,상기 기판과 상기 박막은 상기 금속 절연체 전이 물질의 임계 온도 이상의 온도에서 상기 p형 및 n형 불순물들의 반도체 접합보다 높은 열전력의 금속적 특성을 각각 갖고, 상기 금속적 특성에서 나타나는 일함수의 차이가 온도 증가에 따라 증가되도록 접합되는 열전 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 박막에서 전달되는 각각의 캐리어들은 서로 반대형 인 것을 특징으로 하는 열전소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판과 박막에서 전달되는 각각의 캐리어들은 서로 같은형 인 것을 특징으로 하는 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 p형 또는 n형 불순물은 보론(boron) 또는 갈륨(gallium)의 억셉터와, 아세닉 또는 인(phosphorus)의 도너 중 어느 하나인 열전 소자
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제 6 항에 있어서,상기 억셉터 또는 상기 도너는 상기 실리콘 내에 1018 cm-3 정도로 도핑된 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속 절연체 전이 물질은 VO2 또는 V2O3의 바나듐 산화물을 포함하는 열전 소자
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제 9 항에 있어서,상기 금속적 특성은 상기 금속 절연체 전이 물질과, 상기 기판 사이의 열전류 및 열전압으로부터 계측되는 열전 소자
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제 9 항에 있어서, 상기 VO2는 67도씨(℃)에서 상기 금속적 특성을 갖는 열전 소자
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제 9 항에 있어서, 상기 V2O3는 150도케이(K)에서 상기 금속적 특성을 갖는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 강상관 금속은 알려진 YBa2Cu3O7 또는 MgB2를 포함하는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 박막은, 산소, 탄소, 반도체 원소(III-V족, II-VI족), 전이금속원소, 희토류원소, 또는 란탄계 원소들을 포함하는 저 농도의 정공이 첨가된 무기 화합물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 유기물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 반도체, 및 저 농도의 정공이 첨가된 산화물 반도체 및 절연체 중에서 적어도 하나를 포함하는 열전 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 기판의 상부 또는 아래에 배치된 열전 소자
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