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하부 클래드;적어도 하나의 굴곡 구간을 가지면서 상기 하부 클래드 상에 제공된 코어 패턴;상기 코어 패턴 상에 배치된 빔 편향 패턴; 및상기 빔 편향 패턴이 제공된 상기 코어 패턴을 덮는 상부 클래드를 포함하되, 상기 빔 편향 패턴은 상기 상부 클래드보다 크고 상기 코어 패턴보다 작거나 같은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고, 상기 빔 편향 패턴은 상기 굴곡 구간을 따라 증감 또는 진동하는(oscillating) 폭을 갖는 부분을 포함하며,상기 빔 편향 패턴은 상기 굴곡 구간 상에 배치되는 적어도 하나의 삼각형 패턴을 포함하되,상기 삼각형 패턴은 그것의 꼭지점들 중의 하나가 상기 굴곡 구간의 바깥 측벽에 인접하고 다른 꼭지점들은 상기 굴곡 구간의 안쪽 측벽에 인접하도록 형성되는 도파로 구조체
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청구항 1에 있어서, 상기 코어 패턴은 실리콘으로 형성되고, 상기 상부 클래드는 실리콘 산화물으로 형성되고, 상기 빔 편향 패턴은 실리콘 질화물로 형성되는 도파로 구조체
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청구항 2에 있어서, 상기 빔 편향 패턴은 100 nm 내지 400 nm 범위의 두께를 갖도록 형성되는 도파로 구조체
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청구항 1에 있어서, 상기 빔 편향 패턴은 상기 굴곡 구간 상에서 상기 코어 패턴의 상부면의 일부분을 노출시키도록 형성되는 도파로 구조체
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청구항 1에 있어서, 상기 빔 편향 패턴은 상기 굴곡 구간 상에서 상기 코어 패턴의 바깥 측벽을 향해 테이퍼진 구조를 갖는 적어도 하나의 부분을 포함하는 도파로 구조체
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청구항 5에 있어서, 상기 굴곡 구간 상에서, 상기 빔 편향 패턴은 비대칭적 구조를 갖도록 형성되는 도파로 구조체
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청구항 5에 있어서, 상기 굴곡 구간 상에서, 상기 빔 편향 패턴은 상기 코어 패턴을 가로지르면서 상기 코어 패턴의 바깥 측벽에 인접하는 위치에서 서로 만나는 두 변들을 갖되, 상기 두 변들은, 상기 빔 편향 패턴의 바깥쪽을 향해 돌출되어, 볼록한 프로파일을 갖는 도파로 구조체
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8
청구항 5에 있어서, 상기 굴곡 구간 상에서, 상기 빔 편향 패턴은 상기 코어 패턴을 가로지르면서 상기 코어 패턴의 바깥 측벽에 인접하는 위치에서 서로 만나는 두 변들을 갖되, 상기 두 변들은, 상기 빔 편향 패턴의 안쪽을 향해 리세스되어, 오목한 프로파일을 갖는 도파로 구조체
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청구항 1에 있어서, 상기 굴곡 구간 상에서, 상기 빔 편향 패턴은 상기 코어 패턴의 바깥 측벽을 향해 테이퍼진 구조를 갖는 적어도 하나의 수평부; 및상기 코어 패턴의 안쪽 측벽의 일부를 덮는 수직부를 포함하는 도파로 구조체
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청구항 1에 있어서, 상기 굴곡 구간은 1 마이크로 미터보다 큰 폭을 갖도록 형성되는 도파로 구조체
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적어도 하나의 내부 도파로를 포함하는 적어도 하나의 광학 요소(optical component) 및 상기 광학 요소로의 광학적 접근 경로를 제공하는 전송 도파로를 포함하고, 상기 내부 도파로 및 상기 전송 도파로는 하부 클래드, 적어도 하나의 굴곡 구간을 가지면서 상기 하부 클래드 상에 제공된 코어 패턴, 상기 코어 패턴 상에 배치된 빔 편향 패턴, 및 상기 빔 편향 패턴이 제공된 상기 코어 패턴을 덮는 상부 클래드를 포함하되,상기 빔 편향 패턴은 상기 상부 클래드보다 크고 상기 코어 패턴보다 작거나 같은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고 상기 굴곡 구간을 따라 증감 또는 진동하는(oscillating) 폭을 갖는 부분을 포함하고,상기 빔 편향 패턴은 상기 굴곡 구간 상에 배치되는 적어도 하나의 삼각형 패턴을 포함하되, 상기 삼각형 패턴은 그것의 꼭지점들 중의 하나가 상기 굴곡 구간의 바깥 측벽에 인접하고 다른 꼭지점들은 상기 굴곡 구간의 안쪽 측벽에 인접하도록 형성되는 포토닉스 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 코어 패턴은 실리콘으로 형성되고, 상기 상부 클래드는 실리콘 산화물으로 형성되고, 상기 빔 편향 패턴은 실리콘 질화물로 형성되는 포토닉스 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 빔 편향 패턴은 상기 굴곡 구간 상에서 상기 코어 패턴의 바깥 측벽을 향해 테이퍼진 구조를 갖는 적어도 하나의 부분을 포함하는 포토닉스 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 굴곡 구간은 1 마이크로 미터보다 큰 폭을 갖도록 형성되는 포토닉스 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 광학 요소는 배열 도파로 격자(arrayed waveguide grating), 마흐-젠더 간섭계(Mach-Zehnder interferometer), 인터리버(interleaver), 및 링 필터(ring filter) 중의 하나를 구성하는 포토닉스 소자
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