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제1 수광 폭을 가지는 제1 광파 진행부;상기 제1 수광 폭보다 작은 제2 수광 폭을 가지는 제1 광파 불연속부;양쪽 말단 각각에 상기 제1 광파 진행부 및 상기 제1 광파 불연속부와 접속하고, 상기 제1 광파 진행부로부터 상기 제1 광파 불연속부로 갈수록 수광 폭이 좁아지는 제1 테이퍼 구조부;제3 수광 폭을 가지는 제2 광파 진행부;상기 제3 수광폭 및 제1 수광 폭보다 작은 제4 수광 폭을 가지는 제2 광파 불연속부; 및양쪽 말단 각각에 상기 제2 광파 진행부 및 상기 제2 광파 불연속부와 접속하고, 상기 제2 광파 진행부로부터 상기 제2 광파 불연속부로 갈수록 수광 폭이 좁아지는 제2 테이퍼 구조부를 포함하는 코어
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제 1 항에 있어서,상기 제1 수광 폭 및 제3 수광 폭은 동일하고,상기 제2 수광 폭 및 제4 수광 폭은 동일한 코어
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3
제 1 항에 있어서,상기 제1 테이퍼 구조부는 상기 제1 광파 진행부로부터 상기 제1 광파 불연속부까지 일정한 비율로 수광 폭이 좁아지고,상기 제2 테이퍼 구조부는 상기 제2 광파 진행부로부터 상기 제2 광파 불연속부까지 일정한 비율로 수광 폭이 좁아지는 코어
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4
제 1 항에 있어서,상기 제1 테이퍼 구조부는 다단 또는 패러볼릭(Parabolic) 형상으로 상기 제1 광파 진행부로부터 상기 제1 광파 불연속부까지 수광 폭이 좁아지고,상기 제2 테이퍼 구조부는 다단 또는 패러볼릭 형상으로 상기 제2 광파 진행부로부터 상기 제2 광파 불연속부까지 수광 폭이 좁아지는 코어
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5
제 1 항에 있어서,상기 제1 광파 불연속부 및 상기 제2 광파 불연속부 사이에 반파장 편광판을 더 포함하는 코어
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6
제 5 항에 있어서,상기 반파장 편광판은 폴리이미드(Polyimide) 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate)와 같은 폴리머 소재로 형성되는 코어
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7
제 1 항에 있어서,상기 제1 광파 진행부, 상기 제1 광파 불연속부, 상기 제1 테이퍼 구조부, 상기 제2 광파 진행부, 상기 제2 광파 불연속부 및 상기 제2 테이퍼 구조부는,실리카(SiO2) 유리 기판, 폴리머 기판, 또는 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP), 리튬나이오베이트(LiNbO3)과 같은 단결정 기판 상에 반도체 공정 기술을 적용하여 형성되는 코어
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8
기판 상에 형성되고, 제1 굴절률을 가지는 하부 클래드;상기 하부 클래드 상에 형성되고, 제2 굴절률을 가지는 코어; 및상기 코어 및 상기 하부 클래드 상에 형성되고, 상기 제1 굴절률을 가지는 상부 클래드를 포함하고,상기 코어는,제1 수광 폭을 가지는 제1 광파 진행부;상기 제1 수광 폭보다 작은 제2 수광 폭을 가지는 제1 광파 불연속부;양쪽 말단 각각에 상기 제1 광파 진행부 및 상기 제1 광파 불연속부와 접속하고, 상기 제1 광파 진행부로부터 상기 제1 광파 불연속부로 갈수록 수광 폭이 좁아지는 제1 테이퍼 구조부;제3 수광 폭을 가지는 제2 광파 진행부;상기 제3 수광폭 및 제1 수광 폭보다 작은 제4 수광 폭을 가지는 제2 광파 불연속부; 및양쪽 말단 각각에 상기 제2 광파 진행부 및 상기 제2 광파 불연속부와 접속하고, 상기 제2 광파 진행부로부터 상기 제2 광파 불연속부로 갈수록 수광 폭이 좁아지는 제2 테이퍼 구조부를 포함하는 광 도파로
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9
제 8 항에 있어서,상기 제1 굴절률은 상기 제2 굴절률보다 작은 광 도파로
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제 8 항에 있어서,상기 제1 수광 폭 및 제3 수광 폭은 동일하고,상기 제2 수광 폭 및 제4 수광 폭은 동일한 광 도파로
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11
제 8 항에 있어서,상기 제1 테이퍼 구조부는 상기 제1 광파 진행부로부터 상기 제1 광파 불연속부까지 일정한 비율로 수광 폭이 좁아지고,상기 제2 테이퍼 구조부는 상기 제2 광파 진행부로부터 상기 제2 광파 불연속부까지 일정한 비율로 수광 폭이 좁아지는 광 도파로
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제 8 항에 있어서,상기 제1 테이퍼 구조부는 다단 또는 패러볼릭(Parabolic) 형상으로 상기 제1 광파 진행부로부터 상기 제1 광파 불연속부까지 수광 폭이 좁아지고,상기 제2 테이퍼 구조부는 다단 또는 패러볼릭 형상으로 상기 제2 광파 진행부로부터 상기 제2 광파 불연속부까지 수광 폭이 좁아지는 광 도파로
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13
제 8 항에 있어서,상기 제1 불연속부 및 상기 제2 불연속부 사이에 반파장 편광판을 더 포함하는 광 도파로
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14
제 13 항에 있어서,상기 반파장 편광판은 폴리이미드(Polyimide) 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate)와 같은 폴리머 소재로 제작되는 광 도파로
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15
제 8 항에 있어서,상기 기판은 실리카(SiO2) 유리 기판, 폴리머 기판, 또는 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP), 리튬나이오베이트(LiNbO3)과 같은 단결정 기판이고,상기 제1 광파 진행부, 상기 제1 광파 불연속부, 상기 제1 테이퍼 구조부, 상기 제2 광파 진행부, 상기 제2 광파 불연속부 및 상기 제2 테이퍼 구조부는, 상기 기판 상에 반도체 공정 기술을 적용하여 형성되는 광 도파로
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