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표준전자파 발생장치에 있어서,일측에 제 1 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 1 테이퍼 영역(Tapered Region);적어도 하나의 제 1 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 1 언테이퍼 영역(Untapered Region); 및일측에 제 3 포트가 형성되어 상기 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 2 테이퍼 영역으로 형성되는 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 상부 격벽(Septum); 및일측에 제 2 포트가 형성되어 전자기파를 생성하는 소스를 공급받는 제 3 테이퍼 영역(Tapered Region), 적어도 하나의 제 2 슬릿이 홀(Hole)로 형성되는 제 2 언테이퍼 영역(Untapered Region) 및 일측에 제 4 포트가 형성되어 상기 제 1 포트로부터 생성된 전자기파가 출력되는 제 4 테이퍼 영역으로 형성되는 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 하부 격벽(Septum)을 포함하고,상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트는 서로 마주보는 위치에 형성되고, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트는 서로 마주보는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 제 1 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 1 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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3
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 제 1 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 1 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 제 1 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파는 상기 제 1 포트로부터 제 3 포트 방향으로 진행하고,상기 적어도 하나의 제 1 슬릿의 길이방향은 상기 제 1 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파와 수직되도록 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 상부 격벽(Septum)을 형성하는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역의 폭은 동일한 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역은 일체로 형성되어 상기 TEM 셀(Transverse Electromagnetic Cell)의 하부 격벽(Septum)을 형성하는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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10
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 제 2 슬릿의 길이(Length)는 상기 제 2 언테이퍼 영역의 길이의 50% 내지 91%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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11
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 제 2 슬릿의 폭(Width)은 상기 제 2 언테이퍼 영역의 폭의 1% 내지 10%인 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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12
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 제 2 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파는 상기 제 2 포트로부터 제 4 포트 방향으로 진행하고,상기 적어도 하나의 제 2 슬릿의 길이방향은 상기 제 3 테이퍼 영역으로 공급된 소스를 기반으로 생성된 전자기파와 수직되도록 형성되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 테이퍼 영역, 제 1 언테이퍼 영역 및 제 2 테이퍼 영역은, 상기 제 3 테이퍼 영역, 제 2 언테이퍼 영역 및 제 4 테이퍼 영역과 대칭되는 것인, 슬릿을 이용한 표준전자파 발생장치
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