| 1 |
1
기판;상기 기판 상의 코어;상기 코어 상의 금속 층; 및상기 금속 층과 상기 기판 사이의 상기 코어를 둘러싸고, 상기 코어와 상기 금속 층 사이에 쇼트키 접합을 형성토록 상기 코어의 페르미 에너지 준위를 조절하는 쉘을 포함하되,상기 코어는 상기 기판 상에 배치되는 제 1 반도체 나노와이어를 포함하되,상기 쉘은 상기 제 1 반도체 나노와이어와 다른 에너지 밴드 갭을 갖고, 상기 제 1 반도체나노와이어와 이종접합구조를 형성하는 제 2 반도체 나노와이어를 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체 나노와이어 및 상기 제 2 반도체 나노와이어 각각은 진성 반도체를 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,제 2 반도체 나노와이어는 진성 실리콘 나노와이어를 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 나노와이어는 진성 게르마늄 나노와이어를 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 금속 층과 상기 기판 사이에 배치되어 상기 쉘을 둘러싸는 적어도 하나의 층간 절연 층을 더 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서,상기 층간 절연 층은 상기 쉘의 측벽을 둘러싸는 제 1 절연 층; 및상기 제 1 절연 층의 측벽을 둘러싸는 제 2 절연 층을 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 금속 층은 상기 코어 및 상기 쉘의 상부에서 상기 쉘의 외부 측벽까지 둘러싸는 쇼트키 다이오드
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 금속 층은,상기 코어 및 상기 쉘 상의 제 1 금속 층; 및상기 제 1 금속 층 상의 제 2 금속 층을 포함하되,상기 제 1 금속 층은 상기 코어 및 상기 쉘에 대해 상기 쇼트키 접합을 형성하는 쇼트키 다이오드
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서,상기 코어와 상기 금속 층 사이에 배치된 계면 층을 더 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 계면 층은 제 2 유전 층을 포함하는 쇼트키 다이오드
|
| 16 |
16
기판 상에 코어를 형성하는 단계;상기 코어를 둘러싸는 쉘을 형성하는 단계; 및상기 쉘 및 상기 코어 상에 금속 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 코어는 도전성 불순물의 도핑 없이 상기 쉘에 의해 페르미 에너지 준위가 조절되어 상기 금속 층과 쇼트키 접합을 형성하되,상기 코어는 상기 기판 상에 형성된 제 1 반도체 나노와이어를 포함하되,상기 쉘은 상기 제 1 반도체 나노와이어와 다른 에너지 밴드 갭을 갖고, 상기 제 1 반도체나노와이어와 이종접합구조를 형성하는 제 2 반도체 나노와이어를 포함하는 쇼트키 다이오드의 제조방법
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서,상기 코어는 브이엘에스 성장 방법으로 형성된 진성 게르마늄 나노와이어를 포함하는 쇼트키 다이오드의 제조방법
|
| 18 |
18
제 16 항에 있어서,상기 쉘은 화학기상증착방법 또는 원자층 증착방법으로 형성된 진성 실리콘을 포함하는 쇼트키 다이오드의 제조방법
|
| 19 |
19
제 16 항에 있어서,상기 쉘을 둘러싸는 층간 절연 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 다이오드의 제조방법
|
