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제 1 전극 층;상기 제 1 전극 층 상의 발광 층;상기 발광 층 상의 제 2 전극 층; 및상기 제 2 전극 층 상에 형성되고, 상기 발광 층에서 생성되는 빛의 추출 효율을 증가시키는 요철들을 갖는 버퍼 층을 포함하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 요철들은 각각의 반폭 이하의 간격을 갖는 발광다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 요철들은 각각 적어도 하나의 갈륨나이트라이드(0001) 경사면을 갖는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼 층은 반극성 갈륨나이트라이드(1-101) 평탄면을 갖는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 발광 층은 인듐갈륨나이트라이드 우물 층과 갈륨나이트라이드 장벽층들을 포함하는 발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼 층은 1
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대면적 실리콘(100) 기판을 부분적으로 식각하여 실리콘(111) 경사면을 노출하는 트렌치들 형성하는 단계;상기 트렌치들 내의 상기 실리콘(111) 면들에서 성장되는 갈륨나이트라이드(0001) 경사면과, 상기 실리콘(100) 기판의 상부면이상으로 성장되는 반극성 갈륨나이트라이드(1-101) 평탄면을 갖는 버퍼 층을 형성하는 단계;상기 반극성 갈륨나이트라이드(1-101) 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 층 상에 발광 층을 형성하는 단계; 상기 발광 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계; 및상기 대면적 실리콘(100) 기판을 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 버퍼 층의 형성 단계는,상기 트렌치들의 상기 실리콘(111) 면들을 노출하는 마스크 패턴들을 형성하는 단계;상기 실리콘(111) 면들에서 성장되는 갈륨나이트라이드(0001) 경사면을 갖고, 상기 반극성 갈륨나이트라이드(1-101) 평탄면을 갖는 반극성 갈륨나이트라이드 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 반극성 갈륨나이트라이드 패턴들을 측면 성장시켜 상기 반극성 갈륨나이트라이드(1-101) 평탄면을 연결하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 반극성 갈륨나이트라이드(1-101) 평탄면의 연결 단계는, 측면성장 조건의 금속유기화학기상증착 방법을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 실리콘(100) 기판은 수산화칼륨 용액의 화학적 리프트 오프에 의해 제거되는 발광다이오드의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 트렌치들의 형성 단계는,상기 대면적 실리콘(100) 기판 상에 마스크 패턴들을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴들을 식각 마스크로 사용한 식각 공정으로 상기 대면적 실리콘(100) 기판의 일부를 제거하여 상기 실리콘(111) 면을 노출하는 상기 트렌치들을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴들을 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 식각 공정은 수산화칼륨 용액을 사용한 습식식각방법을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 마스크 패턴들은 실리콘 질화막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 전극 층과 상기 제 2 전극 층을 스터드 범프들과 오믹 금속 층에 의해 리셉터 기판에 플립칩 본딩하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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