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기판과; 그리고상기 기판 상에 배치된 p형 반도체막과 n형 반도체막 사이에 제공되고, 수소함유량이 연속적으로 변하는 진성 반도체를 포함하는 비정질막을 갖는 태양전지 셀을 포함하고,상기 비정질막은 광이 입사되는 입사면과 그 반대면을 포함하는 단일막이고, 상기 수소함유량은 상기 입사면으로부터 상기 반대면으로 갈수록 연속적으로 작아져, 상기 입사면으로부터 상기 반대면을 향하는 상기 비정질막의 두께 방향을 따라 동일한 수소 농도를 갖지 않는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 입사면에 인접 배치된 투명 기판을 포함하고,상기 수소함유량은 상기 투명 기판과의 거리가 커질수록 연속적으로 작아지는 박막 태양전지
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제2항에 있어서,상기 태양전지 셀은:상기 투명 기판 상에 차례로 적층된 상기 p형 반도체막, 상기 비정질막, 그리고 상기 n형 반도체막을 포함하고,상기 수소함유량은 상기 비정질막과 상기 p형 반도체막과의 제1 계면으로부터 상기 비정질막과 상기 n형 반도체막과의 제2 계면으로 갈수록 연속적으로 작아지는 박막 태양전지
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제3항에 있어서,상기 투명 기판과 상기 태양전지 셀 사이에 배치된 투명 전극과; 그리고상기 태양전지 셀 상에 배치된 금속 전극을;더 포함하는 박막 태양전지
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제4항에 있어서,상기 태양전지 셀과 상기 금속 전극 사이에 배치된 반사막을 더 포함하는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 반대면에 인접 배치된 불투명 기판을 포함하고,상기 수소함유량은 상기 불투명 기판과의 거리가 작아질수록 연속적으로 작아지는 박막 태양전지
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제6항에 있어서,상기 태양전지 셀은:상기 불투명 기판 상에 차례로 적층된 상기 n형 반도체막, 상기 비정질막, 그리고 상기 p형 반도체막을 포함하고;상기 수소함유량은 상기 비정질막과 상기 p형 반도체막과의 제1 계면으로부터 상기 비정질막과 상기 n형 반도체막과의 제2 계면으로 갈수록 연속적으로 작아지는 박막 태양전지
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제7항에 있어서,상기 불투명 기판과 상기 태양전지 셀 사이에 배치된 금속 전극과; 그리고상기 태양전지 셀 상에 배치되어 상기 광이 입사되는 투명 전극을;더 포함하는 박막 태양전지
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제8항에 있어서,상기 금속 전극과 상기 태양전지 셀 사이에 반사막을 더 포함하는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 비정질막의 밴드갭 에너지 및 광흡수계수는 상기 입사면으로부터 상기 반대면으로 갈수록 연속적으로 작아지고, 상기 비정질막의 밀도는 상기 입사면으로부터 상기 반대면으로 갈수록 연속적으로 커지는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 진성 반도체는 Si을 포함하는 박막 태양전지
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제1항에 있어서,상기 비정질막은 Si, SiGe, SiC, SiO, SiN, SiON, SiCN, SiGeO, SiGeN, SiGeC 또는 이들의 조합을 포함하는 박막 태양전지
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기판;상기 기판 상에 배치된, 제1 n형 불순물 반도체막과 제1 p형 불순물 반도체막 그리고 상기 제1 n형 불순물 반도체막과 상기 제1 p형 불순물 반도체막 사이에 연속적으로 변하는 수소함유량을 갖는 진성 실리콘을 포함하는 제1 비정질막이 삽입된 제1 셀;상기 제1 n형 불순물 반도체막과 인접한 금속 전극; 및상기 제1 p형 불순물 반도체막과 인접한 투명 전극을 포함하고,상기 제1 비정질막은 단일막이고,상기 제1 비정질막의 상기 수소함유량은 광이 입사되는 쪽에 배치되는 상기 제1 p형 불순물 반도체막과의 제1 계면으로부터 상기 광이 입사되는 쪽과 반대되는 쪽에 배치되는 상기 제1 n형 불순물 반도체막과의 제2 계면으로 갈수록 연속적으로 작아져 상기 제1 계면으로부터 상기 제2 계면을 향하는 상기 제1 비정질막의 두께 방향을 따라 동일한 수소 농도를 갖지 않는 박막 태양전지
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제13항에 있어서,상기 기판은 투명 기판을 포함하고,상기 투명 기판 상에 상기 투명 전극, 상기 제1 p형 반도체막, 상기 제1 비정질막, 상기 제1 n형 반도체막 및 상기 금속 전극이 차례로 적층되고,상기 투명 기판으로 광이 입사되는 박막 태양전지
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제14항에 있어서,상기 제1 셀과 상기 금속 전극 사이에,제2 p형 반도체막과, 연속적으로 변하는 수소함유량을 갖는 제2 진성 반도체막과, 그리고 제2 n형 반도체막이 상기 제1 n형 반도체막 상에서 차례로 적층된 제2 셀을 적어도 하나 더 포함하고,상기 제2 진성 반도체막은 진성 실리콘을 포함하는 비정질막 및 결정질막 중 어느 하나를 포함하는 단일막이고, 그리고상기 제2 진성 반도체막의 상기 수소함유량은 상기 투명 기판과의 거리가 커질수록 연속적으로 작아져 상기 제2 진성 반도체막의 두께 방향을 따라 동일한 수소 농도를 갖지 않는 박막 태양전지
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제14항에 있어서,상기 금속 전극과 상기 제1 셀 사이에 배치된 후면 반사막을 더 포함하는 박막 태양전지
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제13항에 있어서,상기 기판은 불투명 기판을 포함하고,상기 불투명 기판 상에 상기 금속 전극, 상기 제1 n형 반도체막, 상기 제1 비정질막, 상기 제1 p형 반도체막 및 상기 투명 전극이 차례로 적층되고,상기 투명 전극으로 광이 입사되는 박막 태양전지
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제17항에 있어서,상기 제1 셀과 상기 투명 전극 사이에,제2 n형 반도체막과, 연속적으로 변하는 수소함유량을 갖는 제2 진성 반도체막과, 그리고 제2 p형 반도체막이 상기 제1 p형 반도체막 상에 차례로 적층된 제2 셀을 적어도 하나 더 포함하고,상기 제2 진성 반도체막은 진성 실리콘을 포함하는 비정질막 및 결정질막 중 어느 하나를 포함하는 단일막이고, 그리고상기 제2 진성 반도체막의 상기 수소함유량은 상기 불투명 기판과의 거리가 작아질수록 연속적으로 작아져 상기 제2 진성 반도체막의 두께 방향을 따라 동일한 수소 농도를 갖지 않는 박막 태양전지
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제17항에 있어서,상기 금속 전극과 상기 제1 셀 사이에 배치된 후면 반사막을 더 포함하는 박막 태양전지
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제13항에 있어서,상기 제1 비정질막은:상기 실리콘으로 구성되거나; 또는SiGe, SiC, SiO, SiN, SiON, SiCN, SiGeO, SiGeN, SiGeC 또는 이들의 조합을 포함하는 박막 태양전지
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기판을 제공하고;상기 기판 상에, p형 반도체막과 n형 반도체막과 그리고 상기 p형 반도체막과 상기 n형 반도체막 사이에 배치된 연속적으로 변하는 수소함유량을 갖는 진성 반도체를 포함하는 비정질막을 포함하는 셀을 형성하고;상기 p형 반도체막과 인접하는 투명 전극을 형성하고; 그리고상기 n형 반도체막과 인접하는 금속 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 비정질막은 광이 입사되는 입사면과 그 반대면을 포함하는 단일막이고, 상기 수소함유량은 상기 입사면으로부터 상기 반대면으로 갈수록 연속적으로 작아져 상기 입사면으로부터 상기 반대면을 향하는 상기 비정질막의 두께 방향을 따라 동일한 수소 농도를 갖지 않는 박막 태양전지의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 비정질막은 Si, SiGe, SiC, SiO, SiN, SiON, SiCN, SiGeO, SiGeN, SiGeC 또는 이들의 조합을 포함하는 박막 태양전지의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 기판은 상기 입사면에 인접 배치되는 투명 기판을 포함하고,상기 셀을 형성하는 것은:상기 투명 기판 상에 상기 p형 반도체막을 형성하고;상기 p형 반도체막 상에 반도체 소스 가스를 수소로 희석시킨 반응 가스를 제공하되 상기 수소의 희석비를 점진적으로 늘려가면서 상기 비정질막을 형성하고; 그리고상기 비정질막 상에 상기 n형 반도체막을 형성하는 것을 포함하는 박막 태양전지의 제조방법
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제22항에 있어서,상기 기판은 상기 반대면에 인접 배치되는 불투명 기판을 포함하고,상기 셀을 형성하는 것은:상기 불투명 기판 상에 상기 n형 반도체막을 형성하고;상기 n형 반도체막 상에 반도체 소스 가스를 수소로 희석시킨 반응 가스를 제공하되 상기 수소의 희석비를 점진적으로 줄여가면서 상기 비정질막을 형성하고; 그리고상기 비정질막 상에 상기 p형 반도체막을 형성하는 것을 포함하는 박막 태양전지의 제조방법
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