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나노 구조체의 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015101944
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 구조체의 형성방법 및 이를 이용한 태양 전지의 형성방법이 제공된다. 이 나노 구조체의 형성방법은, 템플릿을 준비하는 것, 템플릿의 표면을 이온화하는 것, 템플릿의 이온화된 표면 상에 템플릿을 둘러싸는 산화물층을 형성하는 것, 및 템플릿을 제거하는 것을 포함한다.
Int. CL B82B 3/00 (2014.01) C08F 8/36 (2014.01) B82B 1/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020100005615 (2010.01.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0056192 (2011.05.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090112665   |   2009.11.20
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.21)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정미희 대한민국 대전광역시 서구
2 윤호경 대한민국 서울 마포구
3 강만구 대한민국 대전광역시 유성구
4 김상희 대한민국 대전광역시 서구
5 박헌균 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0041790-73
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0095407-61
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0310760-50
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0310761-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0581620-02
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0959944-42
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1071740-86
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1170228-65
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1170231-03
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0276489-74
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.05.23 수리 (Accepted) 7-1-2014-0019073-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
템플릿을 준비하는 것;상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것;상기 템플릿의 이온화된 표면 상에, 상기 템플릿을 둘러싸는 산화물층을 형성하는 것; 및 상기 템플릿을 제거하는 것을 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 템플릿은, 유기 중합체 또는 유기 공중합체를 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 템플릿은 폴리 스틸렌을 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것은, 상기 템플릿의 표면의 잔기들을 음이온기들로 치환하는 것을 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 음이온기는 황산기, 히드록시기, 카르복실기 및 아세트산기 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 산화물층은 아연 산화물, 티타늄 산화물 및 주석 산화물 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 템플릿을 준비하는 것 및 상기 템플릿의 표면을 이온화시키는 것은; 용매에 모노머들 및 가교제를 용해시켜 제1 용액을 형성하는 것 및 상기 제1 용액에 중합 개시제를 첨가하는 것을 포함하되, 상기 중합 개시제는 금속 양이온과 비금속 음이온을 포함하는 화합물을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 제1 용액에 산도 제어제(pH controller)를 첨가하는 것을 더 포함하는 나노 구조체의 형성방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 산도 제어제는 사붕산나트륨(sodium tetraborate)을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 산화물층을 형성하는 것은, 유기 용매에 산화물 전구체를 용해시켜 제2 용액을 형성하는 것 및 상기 제1 용액을 상기 제2 용액에 첨가하는 것을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
11 11
제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 것;상기 제1 기판 및 제1 전극에 대향하는 제2 기판 및 제2 전극을 형성하는 것;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에, 나노 구조체들과 염료들을 포함하는 산화물층을 형성하는 것; 및상기 산화물층과 상기 제2 전극 사이에 전해질층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 산화물층을 형성하는 것은, 템플릿을 준비하는 것, 상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것, 상기 템플릿의 표면 상에 상기 템플릿을 둘러싸는 산화물층을 형성하는 것, 및 상기 템플릿을 제거하는 것을 포함하는 태양 전지의 형성방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 전해질층과 상기 제2 전극 사이에 촉매층을 형성하는 것을 더 포함하는 태양 전지의 형성방법
13 13
청구항 11에 있어서, 상기 템플릿은 중합체 또는 공중합체를 포함하는 태양 전지의 형성방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 템플릿은 폴리스틸렌을 포함하는 태양 전지의 형성방법
15 15
청구항 11에 있어서, 상기 산화물층은, 아연산화물, 티타늄산화물 및 주석 산화물 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 형성방법
16 16
청구항 11에 있어서, 상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것은, 상기 템플릿의 표면에 음이온기들을 결합시키는 것을 포함하는 태양 전지의 형성방법
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 산화물층은 양이온기들을 포함하며, 상기 양이온기들과 상기 템플릿 표면의 상기 음이온기들 사이의 결합에 의해 상기 템플릿의 표면 상에 형성되는 태양 전지의 형성방법
18 18
청구항 16에 있어서, 상기 음이온기는 황산기, 히드록시기, 카르복실기 및 아세트산기 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 형성방법
19 19
청구항 11에 있어서, 상기 제2 전극 및 상기 제1 전극은, 불소도핑된 산화주석(fluorine-tin-oxide:FTO), 산화주석카드뮴(cadimuim-tin-oxide:CTO), 및 산화인듐주석(indium-tin-oxide:ITO) 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 형성방법
20 20
청구항 11에 있어서, 상기 나노 구조체들은 200 내지 800 nm의 직경을 갖는 태양 전지의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08211744 US 미국 FAMILY
2 US20110124148 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011124148 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8211744 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.