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템플릿을 준비하는 것;상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것;상기 템플릿의 이온화된 표면 상에, 상기 템플릿을 둘러싸는 산화물층을 형성하는 것; 및 상기 템플릿을 제거하는 것을 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 템플릿은, 유기 중합체 또는 유기 공중합체를 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
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청구항 2에 있어서, 상기 템플릿은 폴리 스틸렌을 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것은, 상기 템플릿의 표면의 잔기들을 음이온기들로 치환하는 것을 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
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청구항 4에 있어서, 상기 음이온기는 황산기, 히드록시기, 카르복실기 및 아세트산기 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 산화물층은 아연 산화물, 티타늄 산화물 및 주석 산화물 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 나노 구조체의 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 템플릿을 준비하는 것 및 상기 템플릿의 표면을 이온화시키는 것은; 용매에 모노머들 및 가교제를 용해시켜 제1 용액을 형성하는 것 및 상기 제1 용액에 중합 개시제를 첨가하는 것을 포함하되, 상기 중합 개시제는 금속 양이온과 비금속 음이온을 포함하는 화합물을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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청구항 7에 있어서, 상기 제1 용액에 산도 제어제(pH controller)를 첨가하는 것을 더 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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청구항 8에 있어서, 상기 산도 제어제는 사붕산나트륨(sodium tetraborate)을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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청구항 7에 있어서, 상기 산화물층을 형성하는 것은, 유기 용매에 산화물 전구체를 용해시켜 제2 용액을 형성하는 것 및 상기 제1 용액을 상기 제2 용액에 첨가하는 것을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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11
제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 것;상기 제1 기판 및 제1 전극에 대향하는 제2 기판 및 제2 전극을 형성하는 것;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에, 나노 구조체들과 염료들을 포함하는 산화물층을 형성하는 것; 및상기 산화물층과 상기 제2 전극 사이에 전해질층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 산화물층을 형성하는 것은, 템플릿을 준비하는 것, 상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것, 상기 템플릿의 표면 상에 상기 템플릿을 둘러싸는 산화물층을 형성하는 것, 및 상기 템플릿을 제거하는 것을 포함하는 태양 전지의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 전해질층과 상기 제2 전극 사이에 촉매층을 형성하는 것을 더 포함하는 태양 전지의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 템플릿은 중합체 또는 공중합체를 포함하는 태양 전지의 형성방법
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14
청구항 13에 있어서, 상기 템플릿은 폴리스틸렌을 포함하는 태양 전지의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 산화물층은, 아연산화물, 티타늄산화물 및 주석 산화물 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 템플릿의 표면을 이온화하는 것은, 상기 템플릿의 표면에 음이온기들을 결합시키는 것을 포함하는 태양 전지의 형성방법
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청구항 16에 있어서, 상기 산화물층은 양이온기들을 포함하며, 상기 양이온기들과 상기 템플릿 표면의 상기 음이온기들 사이의 결합에 의해 상기 템플릿의 표면 상에 형성되는 태양 전지의 형성방법
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18
청구항 16에 있어서, 상기 음이온기는 황산기, 히드록시기, 카르복실기 및 아세트산기 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 제2 전극 및 상기 제1 전극은, 불소도핑된 산화주석(fluorine-tin-oxide:FTO), 산화주석카드뮴(cadimuim-tin-oxide:CTO), 및 산화인듐주석(indium-tin-oxide:ITO) 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 태양 전지의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 나노 구조체들은 200 내지 800 nm의 직경을 갖는 태양 전지의 형성방법
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