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CIGS 결정 분말을 챔버의 증발원에 충전시키는 단계; 상기 증발원을 1000~1400℃로 가열하여 상기 CIGS 결정 분말을 동시에 증발시키는 단계; 및증발된 CIGS 결정 분말을 기판에 증착시켜 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광 흡수층 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 CIGS 박막을 형성한 후에, 셀레늄 금속 분말을 증발시켜 상기 CIGS 박막에 셀렌화 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 박막형 광 흡수층 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 CIGS 결정 분말은 10㎚~2㎛의 직경을 가지는 박막형 광 흡수층 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 CIGS 결정 분말은 1:(1-x):x:y의 구리:인듐:갈륨:셀레늄의 조성비를 가지는 박막형 광 흡수층 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 CIGS 박막은 상기 기판에 100㎚~3㎛의 두께로 형성되는 박막형 광 흡수층 제조 방법
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CIGS 결정 분말을 챔버의 증발원에 충전시키는 단계; 상기 CIGS 결정 분말을 동시에 증발시키는 단계; 및증발된 CIGS 결정 분말을 기판에 증착시켜 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 CIGS 결정 분말을 동시에 증발시키는 단계는,상기 챔버를 진공 상태로 유지시키고, 상기 기판을 가열하는 단계; 및상기 증발원을 가열하여 상기 CIGS 결정 분말을 증발시키는 단계를 포함하는 박막형 광 흡수층 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 CIGS 박막을 형성하기 전에 상기 기판 상에 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 CIGS 박막은 상기 전극층 상에 형성되는 박막형 광 흡수층 제조 방법
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기판의 일면에 배면 전극층을 형성하는 단계;CIGS 결정 분말을 챔버의 증발원에 충전시키고, 상기 증발원을 1000~1400℃로 가열하여 상기 배면 전극층 상에 상기 CIGS 결정 분말을 증발 증착시켜 박막형 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 박막형 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 박막형 광 흡수층을 형성하는 단계는,상기 CIGS 결정 분말을 동시에 증발시키는 단계; 및증발된 상기 CIGS 결정 분말을 상기 배면 전극층 상에 증착시켜 상기 박막형 광 흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 박막형 광 흡수층을 형성한 후에, 셀레늄 금속 분말을 증발시켜 상기 박막형 광 흡수층에 셀렌화 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 박막 태양전지 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 CIGS 결정 분말은 10㎚~2㎛의 직경을 가지는 박막 태양전지 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 CIGS 결정 분말은 1:(1-x):x:y의 구리:인듐:갈륨:셀레늄의 조성비를 가지는 박막 태양전지 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 박막형 광 흡수층은 상기 배면 전극층 상에 100㎚~3㎛의 두께로 형성되는 박막 태양전지 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 윈도우층 상에 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 태양전지 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 윈도우층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 태양전지 제조 방법
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기판의 일면에 형성된 배면 전극층;CIGS 결정 분말을 챔버의 증발원에 충전시키고, 상기 증발원을 1000~1400℃로 가열하여 상기 배면 전극층 상에 상기 CIGS 결정 분말을 증발 증착시켜 형성된 박막형 광 흡수층;상기 박막형 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된 윈도우층을 포함하는 박막 태양전지
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청구항 17에 있어서,상기 윈도우층 상에 형성된 전면 전극층을 더 포함하는 박막 태양전지
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청구항 17에 있어서,상기 기판은 소다회 유리기판, 스테인레스 금속기판 또는 폴리마이드 폴리머 기판 중에서 하나인 박막 태양전지
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