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기판;상기 기판 상의 제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 광흡수층;상기 광흡수층 상의 제 2 전극을 포함하되, 상기 제 1 전극은 p형 탄소나노튜브이고, 상기 제 2 전극은 n형 탄소나노튜브인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전극은 단일벽 탄소나노튜브이거나, 할로겐 원소가 부착된 탄소나노튜브인 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 할로겐 원소는 브롬 또는 요오드인 태양전지
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제 3항에 있어서,상기 제 2 전극은 산소 또는 알칼리 금속이 부착된 탄소나노튜브인 태양전지
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제 4항에 있어서,상기 알칼리 금속은 칼륨, 나트륨, 및 세슘 중 하나인 태양전지
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제 5항에 있어서,상기 광흡수층과 상기 제 2 전극 사이에, 버퍼층과, 상기 버퍼층 상의 진성층을 더 포함하는 태양전지
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제 6항에 있어서,상기 광흡수층은 CuInSe, CuInSe2, CuInGaSe, CuInGaSe2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 캘코파이라이트(chalcopyrite)계 화합물 반도체를 포함하는 태양전지
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제 7항에 있어서,상기 진성층은 ZnO인 태양전지
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기판;상기 기판 상의 제 2 전극;상기 제 2 전극 상의 광흡수층;상기 광흡수층 상의 제 1 전극을 포함하되,상기 제 1 전극은 p형 탄소나노튜브이고, 상기 제 2 전극은 n형 탄소나노튜브인 태양전지
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제 9항에 있어서,상기 제 1 전극은 단일벽 탄소나노튜브이거나, 할로겐 원소가 부착된 탄소나노튜브인 태양전지
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제 10항에 있어서,상기 제 2 전극은 산소 또는 알칼리 금속이 부착된 탄소나노튜브인 태양전지
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