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태양전지의 반사방지막, 태양전지, 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015102050
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지의 반사방지막, 태양전지 및 태양전지의 제조방법을 개시한다. 태양전지의 반사방지막은 제1유전율의 물질로 구성된 저유전막; 제1유전율의 물질보다 높은 제2유전율의 물질로 구성된 고유전막; 및 저유전막과 고유전막 사이에 위치하여 제1유전율로부터 제2유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된 기울기층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 태양전지의 광흡수 효율을 높일 수 있다.태양전지, 반사방지막, 유전율, 굴절율, 고반사막, 광포획구조
Int. CL G02B 1/10 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080125326 (2008.12.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1213470-0000 (2012.12.12)
공개번호/일자 10-2010-0029676 (2010.03.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080088479   |   2008.09.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.10)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시 유성구
3 김현탁 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 엠엔엠이십일 강원도 원주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0850714-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0059218-60
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0133803-38
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0133802-93
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0501845-79
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0044884-45
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0710393-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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광을 투과시키는 투과기판;상기 투과기판 아래에 형성되어 상기 투과기판과의 거리에 따라 유전율이 증가하도록 구성된 반사방지막;상기 반사방지막 아래에 형성되어 상기 반사방지막을 통과한 광을 전기 에너지로 변환하는 광흡수층; 및상기 광흡수층 아래에 형성되어 상기 반사방지막을 통과한 광 중에서 상기 광흡수층에서 변환되지 않고 통과된 광을 다시 광흡수층으로 전달하는 고반사막을 포함하고,상기 반사방지막은 제1유전율의 물질로 구성된 저유전막;상기 제1유전율보다 높은 제2유전율의 물질로 구성된 고유전막; 및상기 저유전막과 상기 고유전막 사이에 위치하여 상기 제1유전율로부터 상기 제2유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된 기울기층을 포함하고,상기 기울기층은 상기 제1유전율의 물질과 상기 제2유전율의 물질의 화합물로 구성되고, 상기 고반사막은상기 제1유전율의 물질로 구성된 저유전막;상기 제2유전율의 물질로 구성된 고유전막; 및상기 저유전막과 상기 고유전막 사이에 위치하여 상기 제1유전율로부터 상기 제2유전율까지 점차적으로 유전율이 상승하도록 구성된 기울기층을 포함하고,상기 고반사막은 태양광이 입사하는 방향에 따라 상기 고유전막, 상기 기울기층 및 상기 저유전막의 순서로 증착된 것을 특징으로 하는 태양전지
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제13항에 있어서,상기 저유전막은 Al2O3, SiO2, SiN 중 적어도 하나 이상을 포함하고,상기 고유전막은 TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, ZnO 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010067956 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2010180941 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT 원천기술개발 전기적 펌프(current jump)를 이용한 신소자 기술