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기판 상의, 서로 이격되어 배치된 제 1 나노 와이어 및 제 2 나노 와이어;상기 제 1 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 1 실리콘 박막;상기 제 2 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 2 실리콘 박막; 및상기 제 1 나노 와이어의 타단 및 상기 제 2 나노 와이어의 타단에 연결되는 제 3 실리콘 박막을 포함하되,상기 제 1 나노 와이어 및 상기 제 2 나노 와이어는 상기 기판의 상부면에 대하여 수평한 방향으로 연장되고,상기 실리콘 박막들 및 상기 나노 와이어들은 동일한 평면에 제공되는 열전 소자
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 박막들 및 상기 나노 와이어들은 동일한 두께를 가지는 열전 소자
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 박막들에 전기적으로 각각 연결되는 제 1, 제 2 및 제 3 금속 박막들; 및상기 제 3 금속 박막에 전기적으로 연결되는 흡수체를 더 포함하는 열전 소자
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청구항 4에 있어서,상기 흡수체는 열을 흡수하여 상기 제 3 금속 박막을 통하여 상기 제 3 실리콘 박막에 전달하는 열전 소자
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청구항 4에 있어서,상기 제 1 및 제 2 나노 와이어는 실리콘을 포함하는 열전 소자
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청구항 6에 있어서,상기 제 1 나노 와이어는 엔형 도펀트를 포함하며, 상기 제 2 나노 와이어는 피형 도펀트를 포함하는 열전 소자
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청구항 4에 있어서,상기 제 1 실리콘 박막, 상기 제 2 실리콘 박막 및 상기 제 3 실리콘 박막각각은 도핑 영역을 더 포함하되, 상기 도핑 영역은 상기 제 1, 제 2 및 제 3 금속 박막들과 연결된 콘택들과 오믹 콘택을 형성하는 열전 소자
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청구항 4에 있어서,상기 제 1, 제 2 및 제 3 금속 박막들은 동일한 물질을 포함하는 열전 소자
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청구항 9에 있어서,상기 제 1, 제 2 및 제 3 금속 박막들은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 질화티타늄(TiN) 또는 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 열전 소자
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청구항 1에 있어서,상기 기판 상에 제공된 절연막을 더 포함하며,상기 실리콘 박막들 및 상기 나노 와이어들은 상기 절연막 상에 배치되는 열전 소자
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열원의 열에너지를 전기에너지로 변환하는, 청구항 1의 열전 소자;상기 전기 에너지를 상기 열원의 온도값과 비교하여 연산하는 중앙처리부; 및상기 중앙처리부에서 연산된 데이터를 저장하며, 상기 중앙처리부와 데이터를 교환하는 데이터 저장부를 포함하는 온도 감지 센서
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앤드(AND) 논리회로, 상기 앤드 논리회로에 의하여 턴-온되는 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자에 전기적으로 연결된 청구항 1의 열전 소자를 각각 포함하는 복수 개의 단위 픽셀들;상기 복수 개의 단위 픽셀들을 선택하며, 상기 앤드 논리회로에 전기적으로 연결된 로우 멀티플렉서 및 컬럼 멀티플렉서;상기 턴-온된 스위칭 소자를 통하여 상기 열전 소자의 전기 에너지를 증폭하는 전류 증폭기들; 및상기 전류 증폭기들에 의하여 증폭된 신호를 전달받아 영상을 출력하는 디스플레이를 포함하는 열원 이미지 센서
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기판 상에 절연막 및 실리콘층을 차례로 형성하는 것;상기 실리콘층 상에, 제 1 선폭을 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 것;상기 포토레지스트 패턴에 애싱 공정을 진행하여, 상기 제 1 선폭보다 더 좁은 제 2 선폭을 가지는 포토레지스트 미세 패턴을 형성하는 것; 그리고상기 포토레지스트 미세 패턴을 마스크로 상기 실리콘층에 식각 공정을 진행하여 제 1 및 제 2 나노 와이어들을 형성하는 것을 포함하는 열전 소자의 형성방법
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청구항 14에 있어서,상기 제 1 및 제 2 나노 와이어들을 형성하는 것은:상기 제 1 나노 와이어의 일단과 연결되는 제 1 실리콘 박막을 형성하고, 상기 제 2 나노 와이어의 일단과 연결되는 제 2 실리콘 박막을 형성하며, 상기 제 1 나노 와이어의 타단 및 상기 제 2 나노 와이어의 타단과 연결되는 제 3 실리콘 박막을 형성하는 것을 포함하는 열전 소자의 형성방법
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청구항 15에 있어서,상기 제 1 나노 와이어에 엔형 도펀트를 도핑하는 것; 그리고상기 제 2 나노 와이어에 피형 도펀트를 도핑하는 것을 더 포함하는 열전 소자의 형성방법
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