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광전 소자 및 그를 구비한 마흐-젠더 광변조기
- 기술번호 : KST2015102117
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 고속으로 변조할 수 있는 광전 소자 및 그를 구비한 마흐-젠더 광 변조기를 개시한다. 그의 소자는 기판 상의 슬랩과, 상기 슬랩 상에서 일방향으로 연장되는 메사와, 상기 메사 하부의 상기 슬랩을 포함하는 립 도파로와, 상기 메사의 일측의 상기 슬랩에 형성된 제 1 불순물 영역와, 상기 제 1 불순물 영역에 대향되는 상기 메사의 타측의 상기 슬랩에 형성된 제 3 불순물 영역와, 상기 제 1 불순물 영역 및 상기 제 3 불순물 영역 사이의 상기 립 도파로 내에 형성된 제 2 불순물 영역을 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/10 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020100088473 (2010.09.09) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1419802-0000 (2014.07.09) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0026318 (2012.03.19) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140717) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.09.09) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박정우 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 김경옥 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0587265-75 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2010.09.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0082286-61 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.09.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0596987-21 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.09.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0651763-97 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.10.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0987412-76 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0987417-04 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.03.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0227150-75 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0437737-33 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.05.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0437736-98 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0441320-05 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상의 슬랩;상기 슬랩 상에서 일방향으로 연장되는 메사와, 상기 메사 하부의 상기 슬랩을 포함하는 립 도파로;상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 1 불순물 영역;상기 제 1 불순물 영역과의 경계에 제 1 공핍 영역의 제 1 접합을 형성하고, 상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 2 불순물 영역; 상기 제 1 불순물 영역으로부터 이격하여 배치되어 상기 제 2 불순물 영역과의 경계에 제 2 공핍 영역의 제 2 접합을 형성하고, 상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 3 불순물 영역;상기 제 1 불순물 영역 상에 형성된 제 1 전극; 및상기 제 3 불순물 영역 상에 형성된 제 2 전극을 포함하되,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전원전압이 인가되어 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전류가 흐를 때, 상기 제 1 공핍 영역과 상기 제 2 공핍 영역은 제 2 불순물 영역 전체 내에 형성되는 광전 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 불순물 영역과 상기 제 3 불순물 영역은 제 1 도전성 불순물로 도핑되고, 상기 제 2 불순물 영역은 상기 제 1 도전성 불순물과 반대되는 도전성을 갖는 제 2 도전성 불순물로 도핑된 광전 소자 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 제 1 불순물 영역과, 상기 제 2 불순물 영역과, 상기 제 3 불순물 영역은 PNP 또는 NPN 구조로 배열되는 광전 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 접합과 상기 제 2 접합은 서로 평행하고, 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 립 도파로와 상기 슬랩 내에 배치된 광전 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 접합과 상기 제 2 접합은 제 1 PN접합과, 제 2 PN접합을 각각 포함하되,상기 제 1 PN 접합은 상기 제 1 불순물 영역과 상기 제 2 불순물 영역 사이의 경계면으로부터 상기 제 1 공핍 영역을 유도하고, 상기 제 2 PN 접합은 상기 제 2 불순물 영역과 상기 제 3 불순물 영역 사이의 경계면으로부터 상기 제 2 공핍 영역을 유도하는 광전 소자 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 제 1 PN 접합과, 상기 제 2 PN 접합은 상기 기판에 수직한 방향으로 배치되는 광전 소자 |
| 7 |
7 기판 상의 슬랩;상기 슬랩 상에서 일방향으로 연장되는 메사와, 상기 메사 하부의 상기 슬랩을 포함하는 립 도파로;상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 1 불순물 영역;상기 제 1 불순물 영역과의 경계에 제 1 공핍 영역의 제 1 PN접합을 형성하고, 상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 2 불순물 영역; 상기 제 1 불순물 영역으로부터 이격하여 배치되어 상기 제 2 불순물 영역과의 경계에 제 2 공핍 영역의 제 2 PN접합을 형성하고, 상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 3 불순물 영역;상기 제 1 불순물 영역 상에 형성된 제 1 전극; 및상기 제 3 불순물 영역 상에 형성된 제 2 전극을 포함하되,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극사이에 전원전압이 인가될 때, 상기 제 1 PN접합에 역방향 바이어스 전압이 인가되고, 상기 제 2 PN접합에 순방향 바이어스 전압이 인가되는 광전 소자 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 공핍 영역은 상기 전원전압에 비례하여 상기 제 2 공핍 영역까지 그의 폭이 증가되고, 상기 제 1 공핍 영역과 상기 제 2 공핍 영역이 만날 때, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전류가 흐르는 광전 소자 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 제 1 공핍 영역은 상기 립 도파로를 따라 진행되는 빛의 굴절률을 변화시키는 광전 소자 |
| 10 |
10 제 8 항에 있어서,상기 제 1 공핍 영역은 상기 립 도파로를 따라 진행되는 빛의 손실을 변화시키는 광전 소자 |
| 11 |
11 제 6 항에 있어서,상기 제 1 불순물 영역과 상기 제 1 전극 사이에 형성된 제 1 오믹 콘택 층과, 상기 제 3 불순물 영역과 상기 제 2 전극 사이에 형성된 제 2 오믹 콘택 층을 더 포함하는 광전 소자 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 제 1 불순물 영역과 상기 제 3 불순물 영역은 제 1 농도의 제 1 도전성 불순물로 도핑되고, 상기 제 2 불순물 영역은 상기 제 1 농도보다 낮은 제 2 농도의 상기 제 1 도전성 불순물로 도핑된 광전 소자 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 제 1 불순물 영역과, 상기 제 2 불순물 영역과, 상기 제 3 불순물 영역은 PP-P 구조 또는 NN-N 구조로 배열되는 광전 소자 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서,상기 제 1 접합과 상기 제 2 접합 각각은 상기 기판과 평행한 방향으로 배치되고, 상기 립 도파로 내에 배치된 광전 소자 |
| 15 |
15 삭제 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 삭제 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 기판;상기 기판 상의 클래드;상기 클래드 상의 전면에 형성된 슬랩;상기 슬랩 상에서 돌출되어 일방향으로 연장되는 메사와 상기 메사 하부의 상기 슬랩을 포함하고, 상기 메사 및 상기 메사 하부의 슬랩을 따라 빛을 입출력시키는 입출력 도파로와, 상기 입출력 도파로 사이에 병렬로 연결된 제 1 브랜치 도파로와, 제 2 브랜치 도파로를 포함하는 립 도파로; 및상기 제 1 브랜치 도파로 및 상기 제 2 브랜치 도파로 중 적어도 하나의 상기 립 도파로 또는 상기 슬랩에 형성된 제 1 불순물 영역과, 상기 제 1 불순물 영역과의 경계에 제 1 공핍 영역의 제 1 접합을 형성하고, 상기 제 1 브랜치 도파로 및 상기 제 2 브랜치 도파로 중 적어도 하나의 상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 2 불순물 영역과, 상기 제 1 불순물 영역으로부터 이격하여 배치되어 상기 제 2 불순물 영역과의 경계에 제 2 공핍 영역의 제 2 접합을 형성하고, 상기 제 1 브랜치 도파로 및 상기 제 2 브랜치 도파로 중 적어도 하나의 상기 슬랩 또는 상기 립 도파로에 형성된 제 3 불순물 영역과, 상기 제 1 불순물 영역 상에 형성된 제 1 전극과, 상기 제 3 불순물 영역 상에 형성된 제 2 전극을 포함하되,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전원전압이 인가되어 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전류가 흐를 때, 상기 제 1 공핍 영역과 상기 제 2 공핍 영역은 제 2 불순물 영역 전체 내에 형성되는 마흐-젠더 광변조기 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20120063714 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2012063714 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 한국전자통신연구원 | IT원천기술개발 | 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1419802-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100909 출원 번호 : 1020100088473 공고 연월일 : 20140717 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140626 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 31/10 발명의 명칭 : 광전 소자 및 그를 구비한 마흐-젠더 광변조기 존속기간(예정)만료일 : 20170710 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2014년 07월 10일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0587265-75 |
| 2 | 보정요구서 | 2010.09.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0082286-61 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.09.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0596987-21 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2013.09.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0651763-97 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.10.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0987412-76 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0987417-04 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2014.03.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0227150-75 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.05.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0437737-33 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.05.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0437736-98 |
| 10 | 등록결정서 | 2014.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0441320-05 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415100590 |
|---|---|
| 세부과제번호 | KI001499 |
| 연구과제명 | 실리콘기반초고속광인터커넥션IC |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200602~201101 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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